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M03700 - SEMI M37 - 低転位密度Inp基板のエッチピット密度(EPD)の測定方法
SEMI M37 - 低転位密度Inp基板のエッチピット密度(EPD)の測定方法 セール価格Member Price: ¥135
Non-Member Price: ¥38,100
M03800 - SEMI M38 - 研磨再生シリコンウェーハの仕様
SEMI M38 - 研磨再生シリコンウェーハの仕様 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
M03800 - SEMI M38 - 鏡面リクレイムシリコンウェーハの仕様
SEMI M38 - 鏡面リクレイムシリコンウェーハの仕様 セール価格Member Price: ¥135
Non-Member Price: ¥38,100
M03900 - SEMI M39 - 半絶縁性 GaAs 単結晶の抵抗率とホール係数を測定し、ホール移動度を決定するための試験方法
M03900 - SEMI M39 - 半絶縁GaAs単結晶の抵抗率及びホール係数を測定しホール移動度を決定する方法
M04000 - SEMI M40 - 研磨ウェーハの平面粗さ測定用ガイド
SEMI M40 - 研磨ウェーハの平面粗さ測定用ガイド セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
M04000 - SEMI M40 - シリコンウェーハ表面のラフネス測定のガイド
SEMI M40 - シリコンウェーハ表面のラフネス測定のガイド セール価格Member Price: ¥135
Non-Member Price: ¥38,100
M04100 - SEMI M41 - パワーデバイス/IC 用のシリコンオンインシュレータ (SOI) の仕様
M04100 - SEMI M41 - 電源デバイス/IC用シリコン・オン・インシュレーター(SOI)の仕様
M04200 - SEMI M42 - 化合物半導体エピタキシャルウェーハの仕様
SEMI M42 - 化合物半導体エピタキシャルウェーハの仕様 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
M04200 - SEMI M42 - 化合物半導体エピタキシャルウェーハの仕様
SEMI M42 - 化合物半導体エピタキシャルウェーハの仕様 セール価格Member Price: ¥135
Non-Member Price: ¥38,100
M04300 - SEMI M43 - ウェーハナノトポグラフィーレポート用ガイド
SEMI M43 - ウェーハナノトポグラフィーレポート用ガイド セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
M04300 - SEMI M43 - ウェーハナノポトグラフィーを報告するためのガイド
SEMI M43 - ウェーハナノポトグラフィーを報告するためのガイド セール価格Member Price: ¥135
Non-Member Price: ¥38,100
M04400 - SEMI M44 - シリコン内の格子間酸素の変換係数ガイド
SEMI M44 - シリコン内の格子間酸素の変換係数ガイド セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
M04400 - SEMI M44 - シリコン中の酸素の比較係数ガイド
SEMI M44 - シリコン中の酸素の比較係数ガイド セール価格Member Price: ¥135
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M04500 - SEMI M45 - 300 mmウェーハシッピングシステムに関する暫定仕様
SEMI M45 - 300 mmウェーハシッピングシステムに関する暫定仕様 セール価格Member Price: ¥135
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M04500 - SEMI M45 - 300 mm ウェーハ出荷システムの仕様
SEMI M45 - 300 mm ウェーハ出荷システムの仕様 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
M04600 - SEMI M46 - ECV法によりエピタキシァル層内のキャリア密度を測定するための試験方法
M04600 - SEMI M46 - ECV プロファイリングによるエピタキシャル層構造内のキャリア濃度を測定するための試験方法
M04700 - SEMI M47 - CMOS LSI アプリケーション用のシリコン オン インシュレータ (SOI) ウェーハの仕様
M04800 - SEMI M48 - パターン化されていないシリコン基板上の膜の化学機械研磨プロセスを評価するためのガイド
M04900 - SEMI M49 - 130 nmから65 nmへの技術世代のシリコンウェーハ用ジオメトリ測定システム規定のためのガイド
M04900 - SEMI M49 - 130 nm ~ 16 nm テクノロジー世代のシリコンウェーハの形状測定システムを指定するためのガイド
M05000 - SEMI M50 - オーバーレイ法による表面走査検査システムの捕捉率および誤計数率を決定するための試験方法