SEMI M49 - 130 nm ～ 16 nm テクノロジー世代のシリコンウェーハの形状測定システムを指定するためのガイド -

Abstract

このガイドでは、国際半導体技術ロードマップ (ITRS) および予測で予想されている 130、90、65、45、32、22、および 16 nm テクノロジー世代のシリコン ウェーハの形状と平坦度の測定システムを指定するための推奨事項を提供します。半導体デバイスの大手メーカー。 SEMI M1、SEMI M8、SEMI M11、SEMI M24、または SEMI M38 で定義されているウェーハ パラメータは、シリコン ウェーハ サプライヤーの顧客によって指定され、通常は準拠証明書の一部です。シリコンウェーハのサプライヤーとその顧客は、さまざまな装置メーカーが提供する装置を使用して、または 1 つのサプライヤーのさまざまな世代の装置を使用して、これらのパラメーターを測定する場合があります。このような測定システムの基本的な特徴と能力に関する合意により、データ交換とデータの解釈、および適切な測定システムの調達が改善されます。

このガイドでは、130、90、65、45、32、22、および 16 nm テクノロジー世代のシリコン ウェーハの形状と平坦度を測定するシステムの基本仕様を概説し、推奨します。

このガイドは、裏面が酸エッチングされたり、パターン化されていない均質なポリシリコン層で覆われたりするベアポリッシュまたはエピタキシャルシリコンウェーハの大規模生産において、品質パラメータの形状と平坦度を検証するために使用される測定システムに適用されます。 Si または低温酸化物 (LTO) 。測定システムを校正するためのアーティファクト (基準物質など) は、異なる特性を持つ場合があります。

このガイドは、このガイドで概説されている測定機能のサブセットのみを提供する測定システムにも適用されます。

このガイドは、Si ウェーハ製造中の中間プロセス ステップを制御するために使用される測定システムには適用されません。ただし、対応する制約が適切に特定されていれば、これらのアプリケーションの測定システムに完全または部分的に使用することができます。

また、このガイドは、SOI ウェーハまたはパターン付きウェーハの測定システムには適用されません。

SEMI E1.9 — 300 mm ウェーハの輸送および保管に使用されるカセットの機械仕様
SEMI E5 — SEMI 機器通信規格 2 メッセージ内容の仕様 (SECS-II)
SEMI E10 — 機器の信頼性、可用性、保守性（RAM）および使用率の定義と測定に関する仕様
SEMI E19 — 標準メカニカルインターフェイス (SMIF) の仕様
SEMI E30 — 製造装置の通信および制御のための汎用モデル (GEM) の仕様
SEMI E37 — 高速 SECS メッセージ サービス (HSMS) 汎用サービス
SEMI E47 — 150 mm/200 mm ポッド ハンドルの仕様
SEMI E47.1 — 300 mm ウェーハの輸送および保管に使用される FOUPS の機械仕様
SEMI E58 — 自動信頼性、可用性、保守性標準 (ARAMS): 概念、動作、およびサービス
SEMI E89 — 測定システム分析 (MSA) のガイド
SEMI E158 — 450 mm ウェーハ (450 FOUP) の輸送および保管に使用されるファブ ウェーハ キャリアおよびキネマティック カップリングの機械仕様
SEMI E159 — 450 mm ウェーハの輸送および出荷に使用されるマルチ アプリケーション キャリア (MAC) の機械仕様
SEMI M1 — 研磨単結晶シリコンウェーハの仕様
SEMI M8 — 研磨単結晶シリコンテストウェーハの仕様
SEMI M12 — ウェーハ前面のシリアル英数字マーキングの仕様
SEMI M13 — シリコンウェーハの英数字マーキングの仕様
SEMI M24 — 研磨単結晶シリコンプレミアムウェーハの仕様
SEMI M31 — 300 mm ウェーハの輸送および出荷に使用される前開き輸送ボックスの機械的特徴の仕様
SEMI M38 — 研磨再生シリコンウェーハの仕様
SEMI M43 — ウェーハナノトポグラフィーのレポートガイド
SEMI M59 — シリコンテクノロジーの用語
SEMI M62 — シリコンエピタキシャルウェーハの仕様
SEMI M67 — ESFQR、ESFQD、およびESBIRメトリクスを使用して、測定された厚さのデータ配列からウェーハのニアエッジ形状を決定するための実践
SEMI M68 — 曲率メトリクス、ZDD を使用して、測定された高さのデータ配列からウェーハのニアエッジ形状を決定するための実践
SEMI M73 — 測定されたウェーハエッジプロファイルから関連特性を抽出するための試験方法
SEMI M80 — 450 mm ウェーハの輸送および出荷に使用される前開き輸送ボックスの仕様
SEMI MF42 — 外部半導体材料の導電型の試験方法
SEMI MF84 — インライン 4 点プローブを使用してシリコンウェーハの抵抗率を測定するテスト方法
SEMI MF534 — シリコンウェーハの反りの試験方法
SEMI MF657 — 非接触スキャンによるシリコンウェーハの反りおよび総厚さの変動を測定するための試験方法
SEMI MF671 — シリコンおよびその他の電子材料のウェーハの平坦長さを測定するための試験方法
SEMI MF673 — 非接触渦電流計を使用して半導体ウェハの抵抗率または半導体膜のシート抵抗を測定するための試験方法
SEMI MF928 — 円形半導体ウェーハおよびリジッドディスク基板のエッジ輪郭の試験方法
SEMI MF1152 — シリコンウェーハのノッチ寸法の試験方法
SEMI MF1390 — 自動非接触スキャンによるシリコンウェーハの反りおよび反りを測定する試験方法
SEMI MF1451 — 自動非接触スキャンによるシリコンウェーハのソリを測定する試験方法
SEMI MF1530 — 自動非接触スキャンによるシリコンウェーハの平坦度、厚さ、および厚さのばらつきを測定する試験方法
SEMI MF2074 — シリコンおよびその他の半導体ウェーハの直径を測定するためのガイド
SEMI T7 — 二次元マトリックスコードシンボルを使用した両面研磨ウェーハの裏面マーキングの仕様

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