商品

フィルター

並び替え:

1910 製品

M06200 - SEMI M62 - シリコンエピタキシャルウェーハの仕様
SEMI M62 - シリコンエピタキシャルウェーハの仕様 セール価格Member Price: ¥135
Non-Member Price: ¥38,100
M06300 - SEMI M63 - 高分解能X線回折によるGaAs基板上のAlGaAsのAl分率を測定するための試験方法
SEMI M63 - 高分解能X線回折によるGaAs基板上のAlGaAsのAl分率を測定するための試験方法 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
M06300 - SEMI M63 - 化合物半導体エピタキシャルウェーハに使用するサファイア基板の仕様
SEMI M63 - 化合物半導体エピタキシャルウェーハに使用するサファイア基板の仕様 セール価格Member Price: ¥135
Non-Member Price: ¥38,100
M06400 - SEMI M64 - 赤外吸収分光法による半絶縁性 (SI) ガリウムヒ素単結晶中の EL2 ディープドナー濃度の試験方法
SEMI M64 - 赤外吸収分光法による半絶縁性 (SI) ガリウムヒ素単結晶中の EL2 ディープドナー濃度の試験方法 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
M06400 - SEMI M64 - 赤外線吸収スペクトルによる絶縁（SI）ガリウムヒ素単結晶内のEL2深いドナー濃度の試験方法
SEMI M64 - 赤外線吸収スペクトルによる絶縁（SI）ガリウムヒ素単結晶内のEL2深いドナー濃度の試験方法 セール価格Member Price: ¥135
Non-Member Price: ¥38,100
M06500 - SEMI M65 - 化合物半導体エピタキシャルウェーハに使用するサファイア基板の仕様
SEMI M65 - 化合物半導体エピタキシャルウェーハに使用するサファイア基板の仕様 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
M06500 - SEMI M65 - 化合物半導体エピタキシャルウェーハに使用するサファイア基板の仕様
SEMI M65 - 化合物半導体エピタキシャルウェーハに使用するサファイア基板の仕様 セール価格Member Price: ¥135
Non-Member Price: ¥38,100
M06600 - SEMI M66 - MISフラットバンド電圧―絶縁膜厚法を使った、酸化膜、およびhigh-κゲートスタックの有効な仕事関数の計算方法
SEMI M66 - MISフラットバンド電圧―絶縁膜厚法を使った、酸化膜、およびhigh-κゲートスタックの有効な仕事関数の計算方法 セール価格Member Price: ¥135
Non-Member Price: ¥38,100
M06600 - SEMI M66 - MIS フラット バンド電圧絶縁体厚さ技術を使用して酸化物および High-K ゲート スタックの実効仕事関数を抽出するテスト方法
SEMI M66 - MIS フラット バンド電圧絶縁体厚さ技術を使用して酸化物および High-K ゲート スタックの実効仕事関数を抽出するテスト方法 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
M06700 - SEMI M67 - ESFQR、ESFQD、およびESBIRメトリクスを使用して、測定された厚さのデータ配列からウェーハのニアエッジ形状を決定するためのテスト方法
SEMI M67 - ESFQR、ESFQD、およびESBIRメトリクスを使用して、測定された厚さのデータ配列からウェーハのニアエッジ形状を決定するためのテスト方法 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
M06700 - SEMI M67 - 測定した厚さデータ配列からESFQR、ESFQD、ESBIR METRICS法を使ってウェーハのエッジ近傍形状を決定するための作業方法
SEMI M67 - 測定した厚さデータ配列からESFQR、ESFQD、ESBIR METRICS法を使ってウェーハのエッジ近傍形状を決定するための作業方法 セール価格Member Price: ¥135
Non-Member Price: ¥38,100
M06800 - SEMI M68 - 曲率メトリック、ZDD を使用して測定された高さデータ配列からウェーハのニアエッジ形状を決定するためのテスト方法
SEMI M68 - 曲率メトリック、ZDD を使用して測定された高さデータ配列からウェーハのニアエッジ形状を決定するためのテスト方法 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
M06800 - SEMI M68 - 測定した高さデータ配列から曲率法ZDDを使ってウェーハのエッジ近傍形状を決定するための作業方法
SEMI M68 - 測定した高さデータ配列から曲率法ZDDを使ってウェーハのエッジ近傍形状を決定するための作業方法 セール価格Member Price: ¥135
Non-Member Price: ¥38,100
M07000 - SEMI M70 - 部分的なウェーハサイトの平坦度を使用してウェーハのニアエッジ形状を決定するための試験方法
SEMI M70 - 部分的なウェーハサイトの平坦度を使用してウェーハのニアエッジ形状を決定するための試験方法 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
M07000 - SEMI M70 - パーシャルサイト平坦度を使ってウェーハのエッジ近傍形状を決定するための作業方法
SEMI M70 - パーシャルサイト平坦度を使ってウェーハのエッジ近傍形状を決定するための作業方法 セール価格Member Price: ¥135
Non-Member Price: ¥38,100
M07100 - SEMI M71 - CMOS LSI用シリコン・オン・インシュレーター（SOI）ウェーハのための仕様
SEMI M71 - CMOS LSI用シリコン・オン・インシュレーター（SOI）ウェーハのための仕様 セール価格Member Price: ¥135
Non-Member Price: ¥38,100
M07100 - SEMI M71 - CMOS LSI用シリコン・オン・インシュレータ(SOI)ウェーハの仕様
SEMI M71 - CMOS LSI用シリコン・オン・インシュレータ(SOI)ウェーハの仕様 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
M07300 - SEMI M73 - 測定されたウェーハエッジプロファイルから関連特性を抽出するための試験方法
SEMI M73 - 測定されたウェーハエッジプロファイルから関連特性を抽出するための試験方法 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
M07300 - SEMI M73 - 測定したウェーハ刃エッジから直接的関連性のある特性を抽出するテスト方法
SEMI M73 - 測定したウェーハ刃エッジから直接的関連性のある特性を抽出するテスト方法 セール価格Member Price: ¥135
Non-Member Price: ¥38,100
M07400 - SEMI M74 - 直径 450 mm の研磨ウェーハの機械的取り扱いの仕様
SEMI M74 - 直径 450 mm の研磨ウェーハの機械的取り扱いの仕様 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
M07400 - SEMI M74 - 直径450mmメカニカルハンドリング鏡面ウェーハの仕様
SEMI M74 - 直径450mmメカニカルハンドリング鏡面ウェーハの仕様 セール価格Member Price: ¥135
Non-Member Price: ¥38,100
M07500 - SEMI M75 - 研磨単結晶ガリウムアンチモン化ウェハの仕様
SEMI M75 - 研磨単結晶ガリウムアンチモン化ウェハの仕様 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
M07500 - SEMI M75 - 鏡面単結晶ガリウム アンチモンスライスの仕様
SEMI M75 - 鏡面単結晶ガリウム アンチモンスライスの仕様 セール価格Member Price: ¥135
Non-Member Price: ¥38,100
M07600 - SEMI M76 - 開発中の直径 450 mm 研磨単結晶シリコン ウェーハの仕様
SEMI M76 - 開発中の直径 450 mm 研磨単結晶シリコン ウェーハの仕様 通常価格¥49,500 JPY セール価格¥31,900 JPY