SEMI M76 - 開発中の直径 450 mm 研磨単結晶シリコン ウェーハの仕様 -

Abstract

この規格は、世界的なシリコンウェーハ委員会によって技術的に承認されました。この版は、2010 年 4 月 30 日にグローバル監査およびレビュー小委員会によって発行が承認されました。最初は 2010 年 6 月に www.semi.org で入手可能になりました。

この仕様の対象となる開発ウェーハは、直径 450 mm の単結晶シリコン ウェーハ上に高密度集積回路を製造するために必要なプロセスおよび計測機器および製造プロセスの研究開発での使用を目的としています。また、直径 450 mm の回路品質 (プライム) ウェーハの寸法仕様をサポートするために必要な技術と計測を確立するために使用することもできます。

この仕様は、開発に必要な直径 450 mm の研磨単結晶シリコン ウェーハの寸法および結晶方位の要件をカバーしています。この文書は、回路品質のウェーハに関する寸法仕様および技術固有のガイドラインに取って代わられるべきです。

完全な購入仕​​様書では、追加の物理的特性とその大きさを決定するための試験方法を指定する必要があります。テスト機器が利用できない場合は、サプライヤーと顧客の間で合格基準について合意する必要があります。

この仕様には、装置メーカーやその他の企業が、選択されたプロセス装置および単位プロセスの開発に使用するウェーハを指定するのを支援するためのガイダンスも含まれています。

450 mm ウェーハキャリア、ロードポート、自動マテリアルハンドリングシステム (AMHS)、ロボティクスなどの 450 mm 半導体装置の開発に使用される直径 450 mm のメカニカルハンドリングウェーハの仕様は、すでに SEMI M74 として公開されています。

この仕様は、製品ウェハの仕様を意図したものではありません。

審判の目的には、SI (System International、一般にメートル法と呼ばれる) 単位を使用するものとします。

SEMI E45 — 気相分解-全反射 X 線分光法 (VPD/TXRF)、VPD-原子吸光分光法 (VPD/AAS)、または誘導結合プラズマ質量分析法を使用した小型環境からの無機汚染の測定のための試験方法 ( VPD/ICP-MS)
SEMI M1 — 研磨単結晶シリコンウェーハの仕様
SEMI M12 — ウェーハ前面のシリアル英数字マーキングの仕様
SEMI M13 — シリコンウェーハの英数字マーキングの仕様
SEMI M20 — ウェーハ座標系確立の実践
SEMI M33 — 全反射蛍光 X 線分光法 (TXRF) によるシリコンウェーハ上の残留表面汚染の測定のための試験方法
SEMI M43 — ウェーハナノトポグラフィーのレポートガイド
SEMI M59 — シリコンテクノロジーの用語
SEMI M67 — ESFQR、ESFQD、およびESBIRメトリクスを使用して、測定された厚さのデータ配列からウェーハのニアエッジ形状を決定するための実践
SEMI M68 — 曲率メトリクス、ZDD を使用して、測定された高さのデータ配列からウェーハのニアエッジ形状を決定するための実践
SEMI M70 — 部分的なウェーハサイトの平坦度を使用してウェーハのニアエッジ形状を決定するための実践
SEMI M73 — 測定されたウェーハエッジプロファイルから関連特性を抽出するための試験方法
SEMI M74 — 直径 450 mm の研磨ウェーハの機械的取り扱いの仕様
SEMI MF26 — 半導体単結晶の配向を決定するための試験方法
SEMI MF42 — 外部半導体材料の導電型の試験方法
SEMI MF81 — シリコンウェーハの半径方向抵抗率変化を測定するための試験方法
SEMI MF523 — 研磨されたシリコンウェーハ表面の肉眼による検査の実践
SEMI MF533 — シリコンウェーハの厚さと厚さのばらつきの試験方法
SEMI MF534 — シリコンウェーハの反りの試験方法
SEMI MF673 — 非接触渦電流計を使用して半導体ウェハの抵抗率または半導体フィルムのシート抵抗を測定するための試験方法
SEMI MF951 — シリコンウェーハの半径方向の格子間酸素変動を測定するための試験方法
SEMI MF1152 — シリコンウェーハのノッチ寸法の試験方法
SEMI MF1188 — 短いベースラインでの赤外線吸収によるシリコンの格子間原子状酸素含有量の試験方法
SEMI MF1366 — 二次イオン質量分析による高濃度ドープシリコン基板の酸素濃度測定の試験方法
SEMI MF1389 — III-V 族不純物に対する単結晶シリコンのフォトルミネッセンス分析の試験方法
SEMI MF1390 — 自動非接触スキャンによるシリコンウェーハの反り測定の試験方法
SEMI MF1451 — 自動非接触スキャンによるシリコンウェーハのソリを測定する試験方法
SEMI MF1530 — 自動非接触スキャンによるシリコンウェーハの平坦度、厚さ、および厚さのばらつきを測定する試験方法
SEMI MF1617 — 二次イオン質量分析法によるシリコンおよびエピ基板上の表面のナトリウム、アルミニウム、およびカリウムを測定するための試験方法
SEMI MF1619 — ブリュースター角でのp偏光放射線入射による赤外吸収分光法によるシリコンウェーハの格子間酸素含有量の測定のための試験方法
SEMI MF1809 — シリコンの構造欠陥を描写するためのエッチング溶液の選択と使用に関するガイド
SEMI MF2074 — シリコンおよびその他の半導体ウェーハの直径を測定するためのガイド
SEMI T3 — ウェーハボックスラベルの仕様
SEMI T7 — 二次元マトリックスコードシンボルを使用した両面研磨ウェーハの裏面マーキングの仕様

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