
SEMI M63 - 化合物半導体エピタキシャルウェーハに使用するサファイア基板の仕様 -
Abstract
本仕様は、グローバル化合物半導体材料委員会で技術的に承認されている。現版は2006年1月16日、グローバル監査審査小委員会にて発行が承認された。 org で、 そして2006年3 月にCD-ROM で入手可能となりました。
E本スタンダードは2006年8 月に編集上の修正がなされた。修正箇所は表R2-2 である。
サファイア基板は、窒化ガリウムと関連する薄膜のヘテロエピタキシャル成長に使用される。 膜の特性は、使用される基板の特性に部分的に依存する。に使用するために必要な判定基準の仕様を提供し、サファイア基板の表記法を統一するためのものである。
参照されるSEMI規格なし。
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M06300 - SEMI M63 - 化合物半導体エピタキシャルウェーハに使用するサファイア基板の仕様
セール価格¥38,100 JPY
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