
SEMI M62 - シリコンエピタキシャルウェーハの仕様 -
Abstract
本基準は、global Silicon Wafer Committee で技術的に承認されている。現版は2009年1月2日、global Audits and Reviews Subcommittee にて発行が承認された。2009 年2 月にwww.semi.org で、そして2009年3月にCD-ROM で入手可能となりました。 初版は2005年11月発行、前版は2007 年11 月に発行されました。
エピタキシャル シリコンウェーハは、多くの集積回路やディスクリート半導体デバイスに使用されている。ある。
さらに,高密度のメモリ回路の要素の寸法をますます縮小するためのテクノロジの進歩により,エピタキシャルウェーハの特性をさらに標準化することに関心が集まっている。
これらの仕様では、ディスクリート半導体デバイスの製造業者および集積回路デバイスの製造業者のそれぞれのためのシリコンエピタキシャルウェーハの例を定義し、記載する。検査手順および検収判定基準を定義することにより、供給ヤとそのお客様はどちらとも製品の特性と品質の要求条件を新たに定義できる。
参照されるSEMI規格SEMI M1 — 研磨単結晶シリコンウェーハの仕様
SEMI M17 — ユニバーサルウェーハグリッドのガイド
SEMI M18 — シリコンウェーハの注文入力のための仕様フォーム開発のためのガイド
SEMI M33 — 全反射蛍光 X 線分光法 (TXRF) によるシリコンウェーハ上の残留表面汚染の測定のための試験方法
SEMI M35 — 自動検査によって検出されるシリコンウェーハ表面特徴の仕様開発ガイド
SEMI M43 — ウェーハナノトポグラフィーのレポートガイド
SEMI M44 — シリコン内の格子間酸素の換算係数のガイド
SEMI M45 — 300 mm ウェーハ出荷システムの暫定仕様
SEMI M53 — パターンのない半導体ウェーハ表面への単分散ポリスチレン ラテックス球の堆積を使用した走査表面検査システムの校正の実践
SEMI M59 — シリコンテクノロジーの用語
SEMI MF95 — 赤外線反射率による同じタイプの基板上のシリコンのエピタキシャル層の厚さの試験方法
SEMI MF110 — アングルラッピングおよびステイン技術によるシリコンのエピタキシャル層または拡散層の厚さの試験方法
SEMI MF154 — シリコンの鏡面に見られる構造と汚染物質の特定に関するガイド
SEMI MF374 — 単一構成のインライン 4 点プローブを使用したシリコン エピタキシャル層のシート抵抗の試験方法
SEMI MF398 — プラズマ共鳴極小値の波長の測定による半導体内の多数キャリア濃度の試験方法
SEMI MF523 — 研磨されたシリコンスライスの肉眼による検査の実践
SEMI MF525 — 広がり抵抗プローブを使用したシリコンウェーハの抵抗率の測定
SEMI MF534 — シリコンウェーハの反りの試験方法
SEMI MF657 — 非接触スキャンによるシリコンウェーハの反りおよび総厚さの変動を測定するための試験方法
SEMI MF672 — 広がり抵抗プローブを使用してシリコンウェーハの表面に垂直な抵抗率プロファイルを測定する試験方法
SEMI MF723 — ホウ素ドープシリコンおよびリンドープシリコンの抵抗率とドーパント濃度間の変換の実践
SEMI MF1390 — 自動非接触スキャンによるシリコンウェーハの反り測定の試験方法
SEMI MF1392 — 水銀プローブを使用した容量電圧測定によるシリコンウェーハの正味キャリア密度プロファイルを決定するための試験方法
SEMI MF1451 — 自動非接触スキャンによるシリコンウェーハのソリを測定する試験方法
SEMI MF1530 — 自動非接触スキャンによるシリコンウェーハの平坦度、厚さ、総厚さの変動を測定する試験方法
SEMI MF1617 — 二次イオン質量分析法によるシリコンおよびエピ基板上の表面のナトリウム、アルミニウム、カリウム、鉄を測定するための試験方法
SEMI MF1726 — シリコンウェーハの結晶学的完全性の分析の実践
SEMI T3 — ウェーハボックスラベルの仕様
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