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SEMI M63 - 高分解能X線回折によるGaAs基板上のAlGaAsのAl分率を測定するための試験方法 -
Volume(s):
Materials
Language:
English
Type: Single Standards Download (.pdf)
Abstract
この規格は、化合物半導体材料グローバル技術委員会によって技術的に承認されました。この版は、2015 年 7 月 6 日にグローバル監査およびレビュー小委員会によって発行が承認されました。2015 年 9 月に www.semiviews.org および www.semi.org で入手可能になります。初版は 2006 年 3 月に出版されました。
この試験方法の目的は、実験方法を定義し、分析を説明することにより、GaAs 基板上の AlGaAs エピ層の Al 分率を測定する手段としての高分解能 X 線回折 (HXRD) の使用について説明することです。
この試験方法は、<001> 配向の GaAs 基板上の緩和されていないアンドープの AlGaAs エピ層の組成の測定を対象としています。
標準化された測定方法の原理が示されています。
歴史的な理由から、またはそのユーザーに適したローカルな値 (GaAs 格子パラメータなど) から、すでに広く使用されている解析用のさまざまなパラメータがあります。そのため、分析の例が示されていますが、単一の標準化された分析は避けられています。
標準化された測定方法と結果の標準化された報告のためのガイドがあれば、適切な機器を使用してさまざまな場所で測定を再現できるはずです。
参照されるSEMI規格なし。
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