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M07600 - SEMI M76 - 開発用直径450 mm シリコン単結晶鏡面ウェーハの仕様
SEMI M76 - 開発用直径450 mm シリコン単結晶鏡面ウェーハの仕様 通常価格¥59,400 JPY セール価格¥38,100 JPY
M07700 - SEMI M77 - ロールオフ量、ROA を使用してウェーハのニアエッジ形状を決定するための試験方法
SEMI M77 - ロールオフ量、ROA を使用してウェーハのニアエッジ形状を決定するための試験方法 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
M07700 - SEMI M77 - ロールオフ量（ROA）を使ってウェーハのエッジ近傍形状を決定するための作業方法
SEMI M77 - ロールオフ量（ROA）を使ってウェーハのエッジ近傍形状を決定するための作業方法 セール価格Member Price: ¥135
Non-Member Price: ¥38,100
M07800 - SEMI M78 - 大量生産における 130 nm ～ 22 nm 世代のパターン化されていないシリコン ウェーハのナノトポグラフィーを決定するためのガイド
SEMI M78 - 大量生産における 130 nm ～ 22 nm 世代のパターン化されていないシリコン ウェーハのナノトポグラフィーを決定するためのガイド セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
M07800 - SEMI M78 - 量産時における130nmから22nm世代のパターンなしシリコンウェーハ上のナノトポグラフィー決定に関するガイド
SEMI M78 - 量産時における130nmから22nm世代のパターンなしシリコンウェーハ上のナノトポグラフィー決定に関するガイド セール価格Member Price: ¥135
Non-Member Price: ¥38,100
M07900 - SEMI M79 - 太陽電池用途向けの円形 100 mm 研磨単結晶ゲルマニウム ウェーハの仕様
SEMI M79 - 太陽電池用途向けの円形 100 mm 研磨単結晶ゲルマニウム ウェーハの仕様 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
M07900 - SEMI M79 - 太陽電池用円盤状100mm鏡面研磨単結晶ゲルマニウムウェーハの仕様
SEMI M79 - 太陽電池用円盤状100mm鏡面研磨単結晶ゲルマニウムウェーハの仕様 セール価格Member Price: ¥135
Non-Member Price: ¥38,100
M08000 - SEMI M80 - 450 mmウェーハの搬送および出荷用フロントオープニング・シッピングボックスの機械仕様
SEMI M80 - 450 mmウェーハの搬送および出荷用フロントオープニング・シッピングボックスの機械仕様 セール価格Member Price: ¥135
Non-Member Price: ¥38,100
M08000 - SEMI M80 - 450 mm ウェーハの輸送および出荷に使用される前開き輸送ボックスの仕様
SEMI M80 - 450 mm ウェーハの輸送および出荷に使用される前開き輸送ボックスの仕様 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
M08100 - SEMI M81 - 単結晶炭化ケイ素基板で見つかった欠陥に関するガイド
SEMI M81 - 単結晶炭化ケイ素基板で見つかった欠陥に関するガイド セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
M08100 - SEMI M81 - 単結晶シリコンカーバイド基板に存在する欠陥についてのガイド
SEMI M81 - 単結晶シリコンカーバイド基板に存在する欠陥についてのガイド セール価格Member Price: ¥135
Non-Member Price: ¥38,100
M08200 - SEMI M82 - 赤外吸収分光法による半絶縁性ガリウムヒ素単結晶中の炭素アクセプター濃度の試験方法
SEMI M82 - 赤外吸収分光法による半絶縁性ガリウムヒ素単結晶中の炭素アクセプター濃度の試験方法 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
M08300 - SEMI M83 - III-V族化合物半導体の単結晶における転位エッチピット密度を測定するための試験方法
SEMI M83 - III-V族化合物半導体の単結晶における転位エッチピット密度を測定するための試験方法 セール価格 Member Price : ¥113
M08400 - SEMI M84 - 窒化ガリウム・オン・シリコン用途向けの研磨単結晶シリコンウェーハの仕様
SEMI M84 - 窒化ガリウム・オン・シリコン用途向けの研磨単結晶シリコンウェーハの仕様 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
M08500 - SEMI M85 - 誘導結合プラズマ質量分析によるシリコンウェーハ表面の微量金属汚染の測定に関するガイド
SEMI M85 - 誘導結合プラズマ質量分析によるシリコンウェーハ表面の微量金属汚染の測定に関するガイド セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
M08600 - SEMI M86 - 研磨単結晶 c 面窒化ガリウムウェハの仕様
SEMI M86 - 研磨単結晶 c 面窒化ガリウムウェハの仕様 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
M08700 - SEMI M87 - 半絶縁性半導体の非接触抵抗率測定の試験方法
SEMI M87 - 半絶縁性半導体の非接触抵抗率測定の試験方法 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
M08800 - SEMI M88 - 表面光起電力法によるシリコンウェーハ内の少数キャリア拡散長を測定するためのサンプル調製方法の実践
SEMI M88 - 表面光起電力法によるシリコンウェーハ内の少数キャリア拡散長を測定するためのサンプル調製方法の実践 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
M08900 - SEMI M89 - 短波長励起マイクロ波光導電減衰法によるシリコンエピタキシャルウェーハ（p/p+、n/n+）のエピ層の再結合寿命の試験方法
SEMI M89 - 短波長励起マイクロ波光導電減衰法によるシリコンエピタキシャルウェーハ（p/p+、n/n+）のエピ層の再結合寿命の試験方法 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
M09000 - SEMI M90 - 優先エッチング後の光学顕微鏡によるアニールされたシリコンウェーハのバルク微小欠陥密度と無欠陥ゾーン幅の試験方法
SEMI M90 - 優先エッチング後の光学顕微鏡によるアニールされたシリコンウェーハのバルク微小欠陥密度と無欠陥ゾーン幅の試験方法 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
M09100 - SEMI M91 - X線トポグラフィーによる4H-SICの貫通ねじ転位密度の測定のための試験方法
SEMI M91 - X線トポグラフィーによる4H-SICの貫通ねじ転位密度の測定のための試験方法 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
M09200 - SEMI M92 - Specification for 4H-SIC Homoepitaxial Wafer
SEMI M92 - Specification for 4H-SIC Homoepitaxial Wafer セール価格¥31,900 JPY から
M09300 - SEMI M93 - Test Method for Quantifying Basal Plane Dislocation Density in 4H-SiC by X-Ray Diffraction Topography/Imaging
SEMI M93 - Test Method for Quantifying Basal Plane Dislocation Density in 4H-SiC by X-Ray Diffraction Topography/Imaging セール価格Member Price:
Non-Member Price: ¥31,900
M09400 - SEMI M94 - Specification for Silicon Carbide Engineered Substrates
SEMI M94 - Specification for Silicon Carbide Engineered Substrates セール価格Member Price:
Non-Member Price: ¥31,900