SEMI M79 - 太陽電池用途向けの円形 100 mm 研磨単結晶ゲルマニウム ウェーハの仕様 -

Abstract

この規格は、化合物半導体材料グローバル技術委員会によって技術的に承認されました。この版は、2017 年 6 月 28 日にグローバル監査およびレビュー小委員会によって発行が承認されました。2018 年 2 月に www.semiviews.org および www.semi.org で入手可能になります。初版は 2011 年 2 月に出版されました。

これらの仕様は、半導体および電子デバイスの製造に使用される円形 100 mm 単結晶高純度ゲルマニウム ウェーハの基板要件をカバーしています。

完全な購入仕​​様では、追加の物理的、電気的、およびバルク特性の定義が必要になる場合があります。これらの特性は、そのような手順が文書化されている場所に、その大きさを決定するのに適した試験方法とともにリストされています。

これらの仕様は、特に片面または両面が研磨されたゲルマニウム ウェーハを対象としています。未研磨のウェーハまたはエピタキシャル膜付きウェーハは対象外です。ただし、そのようなウェーハの購入者は、これらの仕様が要件を定義するのに役立つ場合があります。

この材料は、次の特性を持つ単結晶ゲルマニウム (Ge) です。

表1 単結晶Geの基本特性

審判の目的には、SI (System International、一般にメートル法と呼ばれる) 単位を使用するものとします。

SEMI M1 — 研磨単結晶シリコンウェーハの仕様
SEMI MF26 — 半導体単結晶の配向を決定するための試験方法
SEMI MF43 — 半導体材料の抵抗率の試験方法
SEMI MF154 — シリコンの鏡面に見られる構造と汚染物質の特定に関するガイド
SEMI MF523 — 研磨されたシリコンウェーハ表面の肉眼による検査の実践
SEMI MF533 — シリコンウェーハの厚さと厚さのばらつきの試験方法
SEMI MF657 — 非接触スキャンによるシリコンウェーハの反りおよび総厚さの変動を測定するための試験方法 (撤回 0914)
SEMI MF671 — シリコンおよびその他の電子材料のウェーハの平坦長さを測定するための試験方法
SEMI MF673 — 非接触渦電流計を使用して半導体スライスの抵抗率または半導体膜のシート抵抗を測定するための試験方法
SEMI MF847 — X線技術による単結晶シリコンおよびウェーハ上の平坦部の結晶方位を測定する試験方法
SEMI MF928 — 円形半導体ウェーハおよびリジッドディスク基板のエッジ輪郭の試験方法
SEMI MF1390 — 自動非接触スキャンによるシリコンウェーハの反りおよび反りを測定する試験方法
SEMI MF1530 — 自動非接触スキャンによるシリコンウェーハの平坦度、厚さ、および厚さのばらつきを測定する試験方法
SEMI MF2074 — シリコンおよびその他の半導体ウェーハの直径を測定するためのガイド
SEMI T5 — 円形化合物半導体ウェーハの英数字マーキングの仕様

Interested in purchasing additional SEMI Standards? Consider SEMIViews, an online portal with access to over 1000 Standards.

Refund Policy: Due to the nature of our products, SEMI has a no refund/no exchange policy. Please make sure that you have reviewed your order prior to finalizing your purchase. All sales are final.