SEMI M79 - 太陽電池用円盤状100mm鏡面研磨単結晶ゲルマニウムウェーハの仕様 -

Abstract

本基準は、global Compound Semiconductor Materials Committee で技術的に承認されている。現版は2010年12 月21日、global Audits and Reviews Subcommitteeにて発行が承認された。 orgおよびwww.semi.orgで入手可能となる。

本仕様では、半導体および電子デバイスの製造に使用される円盤状100 mm高純度単結晶ゲルマニウムウェーハの基板に関する要求事項をカバーする。

SEMI M1 — 研磨単結晶シリコンウェーハの仕様
SEMI MF26 — 半導体単結晶の配向を決定するための試験方法
SEMI MF43 — 半導体材料の抵抗率の試験方法
SEMI MF154 — シリコンの鏡面に見られる構造と汚染物質の特定に関するガイド
SEMI MF523 — 研磨されたシリコンウェーハ表面の肉眼による検査の実践
SEMI MF533 — シリコンウェーハの厚さと厚さのばらつきの試験方法
SEMI MF534 — シリコンウェーハの反りの試験方法
SEMI MF657 — 非接触スキャンによるシリコンウェーハの反りおよび総厚さの変動を測定するための試験方法
SEMI MF671 — シリコンおよびその他の電子材料のウェーハの平坦長さを測定するための試験方法
SEMI MF673 — 非接触渦電流計を使用して半導体スライスの抵抗率または半導体膜のシート抵抗を測定するための試験方法
SEMI MF847 — X線技術による単結晶シリコンおよびウェーハ上の平坦部の結晶方位を測定するための試験方法
SEMI MF928 — 円形半導体ウェーハおよびリジッドディスク基板のエッジ輪郭の試験方法
SEMI MF1390 — 自動非接触スキャンによるシリコンウェーハの反り測定の試験方法
SEMI MF1530 — 自動非接触スキャンによるシリコンウェーハの平坦度、厚さ、および厚さのばらつきを測定する試験方法
SEMI MF2074 — シリコンおよびその他の半導体ウェーハの直径を測定するためのガイド
SEMI T5 — 円形化合物半導体ウェーハの英数字マーキングの仕様

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