SEMI M86 - 研磨単結晶 c 面窒化ガリウムウェハの仕様 -

Abstract

この仕様は、半導体電子および光学デバイスの製造に使用される単結晶高純度 c 面 (0001) 窒化ガリウム ウェーハの基板要件をカバーしています。
範囲
完全な購入仕​​様には、追加の物理的、電気的、およびバルク特性の定義が必要になる場合があります。これらの特性は、そのような手順が文書化されている場所に、その大きさを決定するのに適した試験方法とともにリストされています。
本明細書は、特に片面または両面が研磨されたｃ面（０００１）窒化ガリウムウェハを対象とする。未研磨のウェーハまたはエピタキシャル膜付きウェーハは対象外です。ただし、そのようなウェーハの購入者にとって、この仕様は要件を定義するのに役立つと思われる場合があります。以下、「窒化ガリウムウエハ」というときは「ｃ面（０００１）窒化ガリウムウエハ」を指すものとする。
材質は単結晶c面窒化ガリウム（GaN）です。表 A1-1 の次のプロパティは、ガイドラインとして使用するためにリストされています。
審判の目的には、SI (System International、一般にメートル法と呼ばれる) 単位を使用するものとします。
寸法要件は、次のカテゴリの研磨済みウェーハに対して提供されます。
カテゴリ 1.1 25.4 mm 円形研磨単結晶窒化ガリウム ウェーハ
カテゴリ 1.2 50.8 mm 円形研磨単結晶窒化ガリウム ウェーハ
カテゴリ 1.3 76.2 mm 円形研磨単結晶窒化ガリウム ウェーハ
カテゴリ 1.4 100.0 mm 円形研磨単結晶窒化ガリウム ウェーハ

参照SEMI規格（別途購入）
SEMI M1 — 研磨単結晶シリコンウェーハの仕様
SEMI M12 — ウェーハ前面のシリアル英数字マーキングの仕様
SEMI M59 — シリコンテクノロジーの用語
SEMI MF26 — 半導体単結晶の配向を決定するための試験方法
SEMI MF43 — 半導体材料の抵抗率の試験方法
SEMI MF154 — シリコンの鏡面に見られる構造と汚染物質の特定に関するガイド
SEMI MF523 — 研磨されたシリコンウェーハ表面の肉眼による検査の実践
SEMI MF533 — シリコンウェーハの厚さと厚さのばらつきの試験方法
SEMI MF657 — 非接触スキャンによるシリコンウェーハの反りおよび総厚さの変動を測定するための試験方法 (撤回 0914)
SEMI MF673 — 非接触渦電流計を使用して半導体ウェハの抵抗率または半導体膜のシート抵抗を測定するための試験方法
SEMI MF1390 — 自動非接触スキャンによるシリコンウェーハの反りおよび反りを測定する試験方法
SEMI MF1530 — 自動非接触スキャンによるシリコンウェーハの平坦度、厚さ、総厚さのばらつきを測定する試験方法

改訂履歴
SEMI M86-0922 (技術改訂)
SEMI M86-0915 (初公開)

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