SEMI M84 - 窒化ガリウム・オン・シリコン用途向けの研磨単結晶シリコンウェーハの仕様 -

Abstract

この規格は、シリコンウェーハ世界技術委員会によって技術的に承認されました。この版は、2014 年 1 月 24 日にグローバル監査およびレビュー小委員会によって発行が承認されました。2017 年 10 月に www.semiviews.org および www.semi.org で入手可能になります。初版は2014年4月に出版されました。

E この規格は、2017 年 11 月に編集上修正されました。手順マニュアルの付録 4 に従って、不適合なタイトルを修正するために変更が加えられました。

単結晶 (単結晶) シリコン ウェーハは、本質的にすべての集積回路や他の多くの半導体デバイスに利用されています。単結晶シリコンウェーハ上の窒化ガリウムは、高輝度発光ダイオード (HB-LED) や高周波パワーデバイスなどの用途で新興市場を代表しています。現在、シリコンウェーハ基板の顧客から要求される仕様は多岐にわたります。共通の処理および計測装置を複数のデバイス製造ラインで使用できるようにするには、主要なウェーハ特性を標準化することが不可欠です。これらの仕様は、窒化ガリウム・オン・シリコン用途の研磨単結晶シリコンウェーハの必須の寸法およびその他の特定の共通特性を提供します。

どちらの用途も全範囲の厚さとエッジプロファイルの仕様を必要とするため、これらの仕様では 2 つのタイプの用途に区別はありません。

これらの仕様には、窒化ガリウム・オン・シリコン用途に使用される高純度の単結晶研磨シリコンウェーハの注文情報と特定の要件が含まれています。

寸法特性およびその他の選択された特性の仕様は、3 種類の単結晶研磨シリコン ウェーハに対して提供されます。

• 150 mm 平坦研磨単結晶シリコンウェーハ、二次平坦、

• 二次平坦部のない 150 mm の平坦化研磨単結晶シリコンウェーハ、および

●200mmのノッチ付き研磨単結晶シリコンウェーハ。

厚さ、全厚さ変動 (TTV)、反り、および反りについて与えられた値は、裏面膜、外部ゲッタリング処理、またはその他の熱処理を適用する前のウェーハにのみ適用されます。

これらの仕様は、少なくとも 1 つの化学機械研磨表面を持つ下塗りシリコン ウェーハに特に適用されます。研削済み、ラップ済み、および研磨されていないウェーハは、これらの仕様には含まれていませんが、調達に関連するガイダンスとなる場合があります。

SEMI M1 — 研磨単結晶シリコンウェーハの仕様
SEMI M12 — ウェーハ前面のシリアル英数字マーキングの仕様
SEMI M13 — シリコンウェーハの英数字マーキングの仕様
SEMI M40 — シリコンウェーハの平面の表面粗さ測定ガイド
SEMI M59 — シリコンテクノロジーの用語
SEMI MF928 — 円形半導体ウェーハおよびリジッドディスク基板のエッジ輪郭の試験方法
SEMI T3 — ウェーハボックスラベルの仕様

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