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SEMI M76 - 開発用直径450 mm シリコン単結晶鏡面ウェーハの仕様 -
Volume(s):
Materials
Language:
Japanese
Type: Single Standards Download (.pdf)
Abstract
注意: この翻訳は参考コピーのみです。英語版と他の言語の翻訳との間に差異がある場合、英語版が正式かつ正式なバージョンとなります。
免責事項： このSEMIスタンダードは，投票により作成された英語版が正式なものであり，日本語版は日本の利用者各位の便宜のために作成したものです。ある場合には英語版記載内容が優先されます。
SEMIスタンダード日本語翻訳版をご利用いただく際の注釈を本文の末尾に記載しております（「すべきである」「しなければならない」について等）。
本基準は、global Silicon Wafer Committee で技術的に承認されている。現版は2010年4月30日、global Audits and Reviews Subcommittee にて発行が承認された。 で入手可能となります。
この仕様が適用される開発用ウェーハは、直径450 mmの単結晶シリコンウェーハ上に高集積ICを生産するために必要な製造プロセス、製造装置および評価装置の研究開発に使うことを意図している。 直径450mmデバイス用（プライム）ウェーハの形状仕様をサポートするのに必要な測定法や測定技術を築くためにも使えます。
開発に必要とされる450 mm単結晶シリコン鏡面ウェーハの形状と結晶方位をこの仕様は対象とする。ある。
完全な購入仕様には，それを測定する評価法とともに物理特性を追加する必要がある。仮に測定装置がない場合には，合否条件は，サプライヤと顧客の間での合意が必要である。
いくつかのプロセス装置とユニットプロセスを開発するのに使うウェーハの仕様を装置メーカ他が決めるのを支援ガイダンスするがこの仕様には含まれています。
450 mmウェーハキャリア、ロードポート、自動材料搬送システム（ AMHS ）およびロボットなどの450 mm半導体装置開発に使われる直径450 mmメカニカルハンドリングウェーハの仕様はSEMI M74 としてすでに出版されている。
この仕様は、生産用ウェーハ仕様としては意図していない。
参考のために，一般にメトリックと呼ばれるSI (System International )単位を使わなくてもよい。
参照されるSEMI規格SEMI E45 — 気相分解-全反射 X 線分光法 (VPD/TXRF)、VPD-原子吸光分光法 (VPD/AAS)、または誘導結合プラズマ質量分析法を使用した小型環境からの無機汚染の測定のための試験方法 ( VPD/ICP-MS)
SEMI M1 — 研磨単結晶シリコンウェーハの仕様
SEMI M12 — ウェーハ前面のシリアル英数字マーキングの仕様
SEMI M13 — シリコンウェーハの英数字マーキングの仕様
SEMI M20 — ウェーハ座標系確立の実践
SEMI M33 — 全反射蛍光 X 線分光法 (TXRF) によるシリコンウェーハ上の残留表面汚染の測定のための試験方法
SEMI M43 — ウェーハナノトポグラフィーのレポートガイド
SEMI M59 — シリコンテクノロジーの用語
SEMI M67 — ESFQR、ESFQD、およびESBIRメトリクスを使用して、測定された厚さのデータ配列からウェーハのニアエッジ形状を決定するための実践
SEMI M68 — 曲率メトリクス、ZDD を使用して、測定された高さのデータ配列からウェーハのニアエッジ形状を決定するための実践
SEMI M70 — 部分的なウェーハサイトの平坦度を使用してウェーハのニアエッジ形状を決定するための実践
SEMI M73 — 測定されたウェーハエッジプロファイルから関連特性を抽出するための試験方法
SEMI M74 — 直径 450 mm の研磨ウェーハの機械的取り扱いの仕様
SEMI MF26 — 半導体単結晶の配向を決定するための試験方法
SEMI MF42 — 外部半導体材料の導電型の試験方法
SEMI MF81 — シリコンウェーハの半径方向抵抗率変化を測定するための試験方法
SEMI MF523 — 研磨されたシリコンウェーハ表面の肉眼による検査の実践
SEMI MF533 — シリコンウェーハの厚さと厚さのばらつきの試験方法
SEMI MF534 — シリコンウェーハの反りの試験方法
SEMI MF673 — 非接触渦電流計を使用して半導体ウェハの抵抗率または半導体フィルムのシート抵抗を測定するための試験方法
SEMI MF951 — シリコンウェーハの半径方向の格子間酸素変動を測定するための試験方法
SEMI MF1152 — シリコンウェーハのノッチ寸法の試験方法
SEMI MF1188 — 短いベースラインでの赤外線吸収によるシリコンの格子間原子状酸素含有量の試験方法
SEMI MF1366 — 二次イオン質量分析による高濃度ドープシリコン基板の酸素濃度測定の試験方法
SEMI MF1389 — III-V 族不純物に対する単結晶シリコンのフォトルミネッセンス分析の試験方法
SEMI MF1390 — 自動非接触スキャンによるシリコンウェーハの反り測定の試験方法
SEMI MF1451 — 自動非接触スキャンによるシリコンウェーハのソリを測定する試験方法
SEMI MF1530 — 自動非接触スキャンによるシリコンウェーハの平坦度、厚さ、および厚さのばらつきを測定する試験方法
SEMI MF1617 — 二次イオン質量分析法によるシリコンおよびエピ基板上の表面のナトリウム、アルミニウム、およびカリウムを測定するための試験方法
SEMI MF1619 — ブリュースター角でのp偏光放射線入射による赤外吸収分光法によるシリコンウェーハの格子間酸素含有量の測定のための試験方法
SEMI MF1809 — シリコンの構造欠陥を描写するためのエッチング溶液の選択と使用に関するガイド
SEMI MF2074 — シリコンおよびその他の半導体ウェーハの直径を測定するためのガイド
SEMI T3 — ウェーハボックスラベルの仕様
SEMI T7 — 二次元マトリックスコードシンボルを使用した両面研磨ウェーハの裏面マーキングの仕様
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