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M05000 - SEMI M50 - オーバーレイ法による走査型表面検査システム用捕獲率および偽計数率を決定するための試験方法
SEMI M50 - オーバーレイ法による走査型表面検査システム用捕獲率および偽計数率を決定するための試験方法 セール価格Member Price: ¥135
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M05100 - SEMI M51 - ゲート酸化膜の完全性によるシリコンウェーハの特性評価のための試験方法
SEMI M51 - ゲート酸化膜の完全性によるシリコンウェーハの特性評価のための試験方法 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
M05100 - SEMI M51 - シリコンウェーハ評価のためのSiO2の即時絶縁破壊特性（TZDB）の試験方法
SEMI M51 - シリコンウェーハ評価のためのSiO2の即時絶縁破壊特性（TZDB）の試験方法 セール価格Member Price: ¥135
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M05200 - SEMI M52 - 130 nm、90nm、65nmおよび45nm技術世代シリコンウェーハ用走査型表面検査装置仕様のためのガイド
SEMI M52 - 130 nm、90nm、65nmおよび45nm技術世代シリコンウェーハ用走査型表面検査装置仕様のためのガイド セール価格Member Price: ¥135
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M05200 - SEMI M52 - 130 nm ～ 5 nm テクノロジー世代のシリコンウェーハ用走査表面検査システムの仕様ガイド
SEMI M52 - 130 nm ～ 5 nm テクノロジー世代のシリコンウェーハ用走査表面検査システムの仕様ガイド セール価格 Member Price : ¥113
M05300 - SEMI M53 - パターンのない半導体ウェーハ表面上の単分散基準球の認定された堆積を使用した走査表面検査システムの校正の実践
SEMI M53 - パターンのない半導体ウェーハ表面上の単分散基準球の認定された堆積を使用した走査表面検査システムの校正の実践 セール価格Member Price: ¥113
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M05300 - SEMI M53 - パターンのない半導体ウェーハ表面に証明済み手法で蓄積した単分散標準粒子を用いた走査型表面検査システム比較正の作業方法
SEMI M53 - パターンのない半導体ウェーハ表面に証明済み手法で蓄積した単分散標準粒子を用いた走査型表面検査システム比較正の作業方法 セール価格Member Price: ¥135
Non-Member Price: ¥38,100
M05400 - SEMI M54 - 半絶縁性 (SI) GaAs 材料パラメータのガイド
SEMI M54 - 半絶縁性 (SI) GaAs 材料パラメータのガイド セール価格Member Price: ¥113
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M05400 - SEMI M54 - 半絶縁性（SI）GaAs材料のパラメータのガイド
SEMI M54 - 半絶縁性（SI）GaAs材料のパラメータのガイド セール価格Member Price: ¥135
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M05500 - SEMI M55 - 研磨単結晶炭化ケイ素ウェハの仕様
SEMI M55 - 研磨単結晶炭化ケイ素ウェハの仕様 セール価格Member Price: ¥113
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M05500 - SEMI M55 - 鏡面単結晶シリコンカーバイドウェーハの仕様
SEMI M55 - 鏡面単結晶シリコンカーバイドウェーハの仕様 セール価格Member Price: ¥135
Non-Member Price: ¥38,100
M05600 - SEMI M56 - 測定のばらつきと偏りによる計測機器のコスト構成要素を決定するための実践
SEMI M56 - 測定のばらつきと偏りによる計測機器のコスト構成要素を決定するための実践 セール価格Member Price: ¥113
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M05600 - SEMI M56 - 計量装置の測定変動と偏りに立つ費用成分の作業法
SEMI M56 - 計量装置の測定変動と偏りに立つ費用成分の作業法 セール価格Member Price: ¥135
Non-Member Price: ¥38,100
M05700 - SEMI M57 - シリコンアニールウェーハの仕様
SEMI M57 - シリコンアニールウェーハの仕様 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
M05700 - SEMI M57 - シリコンアニールウェーハの仕様
SEMI M57 - シリコンアニールウェーハの仕様 セール価格Member Price: ¥135
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M05800 - SEMI M58 - DMAを基にしたパーティクル積システムとプロセス評価のためのテスト方法
SEMI M58 - DMAを基にしたパーティクル積システムとプロセス評価のためのテスト方法 セール価格Member Price: ¥135
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M05800 - SEMI M58 - DMA ベースの粒子堆積システムおよびプロセスを評価するための試験方法
SEMI M58 - DMA ベースの粒子堆積システムおよびプロセスを評価するための試験方法 セール価格Member Price: ¥113
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M05900 - SEMI M59 - シリコンテクノロジーの用語
SEMI M59 - シリコンテクノロジーの用語 セール価格Member Price: ¥113
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M05900 - SEMI M59 - シリコン技術の用語集
SEMI M59 - シリコン技術の用語集 セール価格Member Price: ¥135
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M06000 - SEMI M60 - Si ウェーハ評価用の SiO2 膜の時間依存性絶縁破壊特性の試験方法
SEMI M60 - Si ウェーハ評価用の SiO2 膜の時間依存性絶縁破壊特性の試験方法 セール価格Member Price: ¥113
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M06000 - SEMI M60 - シリコンウェーハ評価のためのSiO2の経時絶縁破壊特性の試験方法
SEMI M60 - シリコンウェーハ評価のためのSiO2の経時絶縁破壊特性の試験方法 セール価格Member Price: ¥135
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M06100 - SEMI M61 - 埋め込み層を備えたシリコンエピタキシャルウェーハの仕様
SEMI M61 - 埋め込み層を備えたシリコンエピタキシャルウェーハの仕様 セール価格Member Price: ¥113
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M06100 - SEMI M61 - 埋め込み層付きシリコンエピタキシャルウェーハの仕様
SEMI M61 - 埋め込み層付きシリコンエピタキシャルウェーハの仕様 セール価格Member Price: ¥135
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M06200 - SEMI M62 - シリコンエピタキシャルウェーハの仕様
SEMI M62 - シリコンエピタキシャルウェーハの仕様 セール価格 Member Price : ¥113