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SEMI M50 - オーバーレイ法による走査型表面検査システム用捕獲率および偽計数率を決定するための試験方法 -
Volume(s):
Materials
Language:
Japanese
Type: Single Standards Download (.pdf)
Abstract
本基準は、global Silicon Wafer Committee で技術的に承認されている。現版は2010年1月20日、global Audits and Reviews Subcommittee にて発行が承認された。 で入手可能となりました。初版は2001年11 月発行、前版は2009 年11 月に発行されました。
SEMI M52は、130nmから45nmまでの技術世代に用いられる走査型表面検査システム（ SSIS ）に求められる捕獲率（ CR ： Capture rate キャプチャレート）に適合した要求について規定する。
本試験方法は，局所的光散乱（ LLSs ）量を等価光散乱サイズにする視力機能を持った，走査型表面検査システム（ SSIS ）の捕獲率（ CR ），偽計数率（ FCR ）および累積的偽計数率（ CFCR ）を決定することをカバーする。
参照されるSEMI規格SEMI E89 — 測定システム分析 (MSA) のガイド
SEMI M1 — 研磨単結晶シリコンウェーハの仕様
SEMI M52 — 130 nm、90 nm、65 nm、および 45 nm テクノロジーのシリコンウェーハ用走査表面検査システムを指定するためのガイド
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