SEMI M53 - パターンのない半導体ウェーハ表面上の単分散基準球の認定された堆積を使用した走査表面検査システムの校正の実践 -

Abstract

この実習では、走査面のキャリブレーションについて説明します。 検査システム (SSIS) の暗視野検出器チャネルにより、SSIS は パターンのない表面に蒸着されたポリスチレン ラテックス (PSL) 球の正確なサイズ 研磨された、エピタキシャル、または膜が形成された半導体ウェーハ表面。

このキャリブレーションの目的は、異なることを確認することです。 特定のメーカーとモデルの SSIS には同じ光散乱が割り当てられます。 特定の局所光散乱体 (LLS) に相当する (LSE) 直径。

この実践では、定義されている LSE 直径の使用を定義します。 SEMI M59 では、実際の表面欠陥を報告する手段として、その正体が真実である 大きさや形態は不明。

これ 実践により、関連分野で使用される SSIS パフォーマンスを定量化するための基礎が提供されます。 感度、再現性などのパラメータに関する規格 捕獲率。

この演習では次の内容を扱います。

• 表面およびその他の特性の要件 基準球が堆積される半導体基板 基準ウェーハを形成し、
• 適切な認証済み参考文献の選択 SSIS キャリブレーション用の球体（サイズ分布要件を含む） 基準球堆積では満たされるが、堆積方法では満たされない、
• モデル予測を使用した検量線の生成 応答曲線が振動するため単調ではない散乱データ、 と
• を使用した単調検量線の生成 モデルが予測した散布データ。

主にキャリブレーションでの使用を目的として開発されましたが、 研磨されたシリコンウェーハ上の LLS の検出に使用される SSIS の数 SEMI M1 で指定されている幾何学的特性に基づいて、この実践を行うことができます。 SSIS に適用され、他のパターン化されていない LLS の検出に使用されます。 ただし、適切な基準ウェーハが使用される場合に限ります。

この実践は、いかなる形でも、 LSE 値を使用して、LLS の実際のサイズを定義する方法。 PSL球体。

このプラクティスは、SEMI M52 にリストされている要件をサポートしています。

付録 1 では、次のことを決定するために使用できる方法について説明します。 PSL ではない参照球の屈折率。

参照SEMI規格（別途購入）

SEMI M1 — 研磨単結晶シリコンの仕様 ウエハース

SEMI M12 — シリアル英数字マーキングの仕様 ウェーハの表面

SEMI M20 — ウェーハ座標を確立するための実践 システム

SEMI M50 — 捕捉率および捕捉率を決定するための試験方法 オーバーレイ法による表面走査検査装置の誤計数率

SEMI M52 — 走査面検査指定ガイド 130 nm ～ 11 nm テクノロジー世代のシリコンウェーハ用システム

SEMI M58 — DMA ベースの粒子を評価するための試験方法 蒸着システムとプロセス

SEMI M59 — シリコンテクノロジーの用語

改訂履歴

SEMI M53-0220 (技術改訂)

SEMI M53-0219 (技術改訂)

SEMI M53-0418 (技術改訂)

SEMI M53-0216 (技術改訂)

SEMI M53-0310 (技術改訂)

SEMI M53-1109 (技術改訂)

SEMI M53-0309 (技術改訂)

SEMI M53-0706 (技術改訂)

SEMI M53-0306 (技術改訂)

SEMI M53-1103 (技術改訂)

SEMI M53-0303 (初公開)

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