SEMI M51 - ゲート酸化膜の完全性によるシリコンウェーハの特性評価のための試験方法 -

Abstract

この規格は、世界的なシリコンウェーハ技術委員会によって技術的に承認されました。この版は、2012 年 8 月 30 日にグローバル監査およびレビュー小委員会によって発行が承認されました。2012 年 10 月に www.semiviews.org および www.semi.org で入手可能になります。初版は 2002 年 7 月に出版されました。以前は 2003 年 3 月に出版されました。

注意: この文書は 2012 年に完全に書き直されました。

この試験方法では、ゲート酸化膜の完全性 (GOI) を判断するためにシリコン ウェーハを特性評価する手順について説明します。 GOI はもともと結晶由来の粒子/ピット (COP) を検出するために開発されましたが、現在では他の表面品質に敏感な検査方法として知られています。したがって、GOIの評価結果はウェーハメーカーにとってもデバイスメーカーにとっても有効な情報となります。

タイムゼロ絶縁破壊 (TZDB) 法により、酸化膜の故障モードを分類できます。 SEMI M60 は、時間依存絶縁破壊 (TDDB) 法に基づいた GOI 計測です。 TDDB 法は酸化物の完全性を評価します。したがって、TZDB 法は TDDB に加えて重要な GOI 計測です。

この試験方法では、TZDB 方法を使用してシリコン ウェーハ GOI を特性評価するための詳細な手順を提供します。この試験方法では、金属酸化物半導体 (MOS) コンデンサの製造、電気測定、分析、およびレポートの標準手順について説明します。

ゲート酸化膜厚20～25nmの熱成長ゲート酸化膜とポリシリコン電極を用いてMOSキャパシタを形成します。

酸素析出物もゲート酸化膜欠陥の原因となることはよく知られています。ただし、受け取ったままのウェーハには GOI に影響を与えるほど大きな酸素析出物が含まれることはほとんどないため、これはこの規格の範囲を超えています。

SEMI C3.6 — シリンダー内のホスフィン (PH ₃ ) の仕様 99.98% の品質
SEMI C3.55 — シラン (SiH ₄ )、バルク、99.994% 品質の仕様
SEMI C21 — 水酸化アンモニウムの仕様とガイドライン
SEMI C27 — 塩酸の仕様とガイドライン
SEMI C28 — フッ化水素酸の仕様
SEMI C30 — 過酸化水素の仕様
SEMI C35 — 硝酸の仕様とガイドライン
SEMI C38 — オキシ塩化リンのガイド
SEMI C41 — 2-プロパノールの仕様とガイドライン
SEMI C44 — 硫酸の仕様とガイドライン
SEMI C54 — 酸素の仕様とガイドライン
SEMI C58 — 水素の仕様とガイドライン
SEMI C59 — 窒素の仕様とガイドライン
SEMI F63 — 半導体プロセスで使用される超純水のガイド
SEMI M1 — 研磨単結晶シリコンウェーハの仕様
SEMI M59 — シリコンテクノロジーの用語
SEMI M60 — Si ウェハ評価用の SiO ₂膜の時間依存性絶縁破壊特性の試験方法
SEMI MF1771 — 電圧ランプ技術によるゲート酸化膜の完全性を評価するための試験方法

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