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SEMI M51 - シリコンウェーハ評価のためのSiO2の即時絶縁破壊特性（TZDB）の試験方法 -
Volume(s):
Materials
Language:
Japanese
Type: Single Standards Download (.pdf)
Abstract
本基準は、グローバルシリコンウェーハ技術委員会で技術的に承認されている。現版は2012年8月30日、グローバル監査審査小委員会にて発行が承認された。 org およびwww.semi.org で入手可能となる。初版は2002年7 月発行。前版は2003 年3 月発行。
注意： 本書は、 2012 年に全面的に改訂されたものです。
本テスト方法は，Gate Oxide Integrity（GOI）によるウェーハ品質評価法に関するものである。 GOIはシリコン基板中に存在するCOPを検出するために用いられてきたが，よく知られているように表面に存在する欠陥検出の画で非常に高い感性である。そのためGOI測定は，ウェールハメーカやデバイスメーカにおいて広く用いられている手法である。
SEMIM60には、経時絶縁破壊特性（ TDDB ）によるGOI 評価法記述がある。 TDDB は酸化膜欠陥モード分類を行うGOI測定方法である。 評価するのに対して，TZDB は酸化膜欠陥のモード分類を行い， GOI 手法評価として重要な方法である。
本テスト方法は，TZDB法を用いたウェーハGOI品質評価法に関するものである。本テスト基準では，金属酸化膜半導体（MOS）キャパシタ作成，電気特性評価，解析及びデータ取り込みについてまとめて記載されている。
MOS キャパシタには，熱酸化によるゲート酸化膜を用いた厚さ範囲は20-25nm程度である。また、電極材料としては、多結晶シリコンを採用した。
酸素溶出物も絶縁破壊耐圧劣化の原因となるが、購入直後のウェーハでは、通常酸素溶出物はほとんど含まれておらず、GOIへの影響はほとんどない。しない。
参照されるSEMI規格SEMI C3.6 — シリンダー内のホスフィン (PH 3 ) の仕様 99.98% の品質
SEMI C3.55 — シラン (SiH 4 )、バルク、99.994% 品質の仕様
SEMI C21 — 水酸化アンモニウムの仕様とガイドライン
SEMI C27 — 塩酸の仕様とガイドライン
SEMI C28 — フッ化水素酸の仕様
SEMI C30 — 過酸化水素の仕様
SEMI C35 — 硝酸の仕様とガイドライン
SEMI C38 — オキシ塩化リンのガイド
SEMI C41 — 2-プロパノールの仕様とガイドライン
SEMI C44 — 硫酸の仕様とガイドライン
SEMI C54 — 酸素の仕様とガイドライン
SEMI C58 — 水素の仕様とガイドライン
SEMI C59 — 窒素の仕様とガイドライン
SEMI F63 — 半導体プロセスで使用される超純水のガイド
SEMI M1 — 研磨単結晶シリコンウェーハの仕様
SEMI M59 — シリコンテクノロジーの用語
SEMI M60 — Si ウェハ評価用の SiO 2膜の時間依存性絶縁破壊特性の試験方法
SEMI MF1771 — 電圧ランプ技術によるゲート酸化膜の完全性を評価するための試験方法
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