SEMI M67 - ESFQR、ESFQD、およびESBIRメトリクスを使用して、測定された厚さのデータ配列からウェーハのニアエッジ形状を決定するためのテスト方法 -

Abstract

ウェーハのニアエッジ形状は歩留まりに大きく影響する可能性があります 半導体デバイス加工の分野。

ニアエッジの幾何学的特性に関する知識は、 生産者と消費者はウェーハの寸法特性を決定します。 与えられた幾何学的要件を満たします。

この試験方法は平坦度の定量化に適しています。 半導体デバイスに使用されるウェーハのニアエッジ形状の側面 処理。

ESFQR、ESFQD、または ESBIR メトリックは、次の場合により適している可能性があります。 従来の指標よりもニアエッジジオメトリの平坦性の側面を定量化します。 SFQR、SFQD、SBIRなど。 ESFQR、ESFQD、ESBIR はニアエッジ形状を定量化します を除くウェーハエッジ上のすべての角度位置で完全かつ一貫して 意図的に除外された場所。一方、SFQR、SFQD、SBIR は次のように扱います。 異なる角度位置は異なる方法であり、通常は完全には提供されません ウェーハエッジのカバレージ。

ニアエッジの使用を考慮する必要があります。 材料交換ではなくプロセス制御ツールとしてのジオメトリメトリクス 仕様。

ニアエッジ ジオメトリには他にもメトリックがあります。 ZDD、ROA、PSFQR などの他の側面を定量化します。

このテスト方法はニアエッジの計算をカバーします。 ジオメトリ メトリクス ESFQR、ESFQD、および ESBIR。

このテスト方法で計算されるメトリクスは、 厚さデータ配列。この配列は、ウェーハの前面を表します。 ウェーハの裏面は、ウェーハの上に引き下げたときのように、理想的には平らになります。 理想的にはきれいなフラットチャック。

このテスト方法は、研磨、エピタキシャル、SOI、 または他の層の状態。

この試験方法はウェーハのカテゴリに適用できます 先進的なIC製造で使用されるSEMI M1で指定されています。

この試験方法は、 厚さデータ配列。ただし、必要な特性は得られます。 厚さデータ配列。

平坦性メトリクスに類似した他のメトリクスは、 計算されますが、これらはこのテスト方法の範囲外です。

参照SEMI規格（別途購入）

SEMI M1 — 研磨単結晶シリコンの仕様 ウエハース

SEMI M12 — シリアル英数字マーキングの仕様 ウェーハの表面

SEMI M13 — の英数字マーキングの仕様 シリコンウェーハ

SEMI M20 — ウェーハ座標系確立の実践

SEMI M59 — シリコンテクノロジーの用語

SEMI M68 — ウェーハのニアエッジを決定するための実践 曲率メトリクス ZDD を使用した、測定された高さデータ配列からのジオメトリ

SEMI M70 — ウェーハニアエッジを決定するための実践 部分的なウェーハサイトの平坦性を使用した形状

SEMI M77 — ウェーハのニアエッジを判定するための実践 ロールオフ量、ROA を使用したジオメトリ

SEMI MF1530 — 平坦度を測定するための試験方法、 自動化によるシリコンウェーハの厚さおよび総厚さのばらつき 非接触スキャン

SEMI T7 — 裏面マーキングの仕様 2次元マトリックスコードシンボル付き両面研磨ウェーハ

改訂履歴

SEMI M67-0720 (技術改訂)

SEMI M67-1015 (技術改訂)

SEMI M67-1109 (技術改訂)

SEMI M67-1108 (技術改訂)

SEMI M67-1106 (暫定版) (初公開)

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