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SEMI M71 - CMOS LSI用シリコン・オン・インシュレーター（SOI）ウェーハのための仕様 -
Volume(s):
Materials
Language:
Japanese
Type: Single Standards Download (.pdf)
Abstract
本基準は、global Silicon Wafer Committee で技術的に承認されている。現版は2010年1月20日、global Audits and Reviews Subcommittee にて発行が承認された。 2010年2 月にwww.semi.org で入手可能となる。初版は2007年11 月に発行された。
本仕様は、CMOS大規模集積回路（ LSI ：大規模集積回路）デバイス用の薄膜シリコン・オン・インシュレーター（ SOI ：silicon-on-insulator）ウェーハの要求条件を規定するものである。 130nm技術ノード以降（ 65nm 、 45nm等）のLSI用200mmおよび300mmウェーハを対象としている。 150mmウェーハの場合には、旧来のLSI世代も含まれる。パラメータ、検査および手順受入基準を規定することにより、供給ヤと顧客の両方が、製品の特性および品質要求条件を一貫して定義するのがよい。
参照されるSEMI規格
SEMI M1 — 研磨単結晶シリコンウェーハの仕様
SEMI M20 — ウェーハ座標系確立の実践
SEMI M35 — 自動検査によって検出されるシリコンウェーハ表面特徴の仕様開発ガイド
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