SEMI M71 - CMOS LSI用シリコン・オン・インシュレータ(SOI)ウェーハの仕様 -

Abstract

この仕様は、CMOS 大規模集積回路 (LSI) デバイス用の薄層シリコン・オン・インシュレーター (SOI) ウェハー要件を定義します。 200 および 300 mm ウェーハの場合、この仕様は 130 nm 以降のテクノロジ ノード (65、45、32、22 nm など) を対象としています。 150mmウェハの場合は古い世代のLSIも含まれます。パラメータ、検査手順、および合格基準を定義することにより、サプライヤーと顧客の両方が製品の特性と品質要件を統一して定義できます。

SEMI M1 — 研磨単結晶シリコンウェーハの仕様
SEMI M20 — ウェーハ座標系確立の実践
SEMI M35 — 自動検査によって検出されるシリコンウェーハ表面特徴の仕様開発ガイド
SEMI M41 — パワーデバイス/IC 用のシリコン オン インシュレータ (SOI) の仕様
SEMI M59 — シリコンテクノロジーの用語
SEMI M62 — シリコンエピタキシャルウェーハの仕様
SEMI MF26 — 半導体単結晶の配向を決定するための試験方法
SEMI MF42 — 外部半導体材料の導電型の試験方法
SEMI MF81 — シリコンウェーハの半径方向抵抗率変化を測定するための試験方法
SEMI MF84 — インライン 4 点プローブを使用してシリコンウェーハの抵抗率を測定するテスト方法
SEMI MF523 — 研磨されたシリコンウェーハ表面の肉眼による検査の実践
SEMI MF847 — X線技術による単結晶シリコンウェーハ上の平坦部の結晶方位を測定する試験方法
SEMI MF1152 — シリコンウェーハのノッチ寸法の試験方法
SEMI MF1188 — 短いベースラインでの赤外線吸収によるシリコンの格子間酸素含有量の試験方法
SEMI MF1390 — 自動非接触スキャンによるシリコンウェーハの反り測定の試験方法
SEMI MF1809 — シリコンの構造欠陥を描写するためのエッチング溶液の選択と使用に関するガイド

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