SEMI M65 - 化合物半導体エピタキシャルウェーハに使用するサファイア基板の仕様 -

Abstract

本仕様は、グローバル化合物半導体材料委員会で技術的に承認されている。現版は2006年1月16日、グローバル監査審査小委員会にて発行が承認された。 org で、 そして2006年3 月にCD-ROM で入手可能となりました。

E本スタンダードは2006年8 月に編集上の修正がなされた。修正箇所は表R2-2 である。

サファイア基板は、窒化ガリウムと関連する薄膜のヘテロエピタキシャル成長に使用される。 膜の特性は、使用される基板の特性に部分的に依存する。に使用するために必要な判定基準の仕様を提供し、サファイア基板の表記法を統一するためのものである。

SEMI M1 — 研磨単結晶シリコンウェーハの仕様
SEMI M3 — 研磨単結晶サファイア基板の仕様
SEMI MF26 — 半導体単結晶の配向を決定するための試験方法
SEMI MF523 — 研磨されたシリコンウェーハ表面の補助なしの目視検査の実践
SEMI MF533 — シリコンウェーハの厚さと厚さのばらつきの試験方法
SEMI MF671 — ウェーハおよびその他の電子材料の平坦長さを測定するための試験方法
SEMI MF847 — X線技術による単結晶シリコンウェーハ上の平坦部の結晶方位を測定する試験方法
SEMI MF928 — 円形半導体ウェーハおよびリジッドディスク基板のエッジ輪郭の試験方法
SEMI MF1810 — シリコンウェーハの優先的にエッチングまたは装飾された表面欠陥を数える試験方法
SEMI MF2074 — シリコンおよびその他の半導体ウェーハの直径を測定するためのガイド

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