
SEMI M38 - 鏡面リクレイムシリコンウェーハの仕様 -
Abstract
本基準は、global Silicon Wafer Committee で技術的に承認されている。現版は2006年11月21日、global Audits and Reviews Subcommittee にて発行が承認された。 で、そして2007年3月にCD-ROM で入手可能となりました。 初版は1999年9月発行、前版は2006 年3 月に発行されました。
本仕様書は半導体製造において試験およびプロセス監視に用いられるリクレイムシリコンウェーハの要求条件を規定する。
本仕様書は半導体製造において試験およびプロセス監視に用いられるリクレイムシリコンウェーハの要求条件を規定する。
サプライヤマーク付き裏側を持つ300mmウェーハの場合は時として、1回しない回数のリクレイムサイクル後にマークを再刻印する必要がある。付属書が含まれる。
参照されるSEMI規格
SEMI M1 — 研磨単結晶シリコンウェーハの仕様
SEMI M8 — 研磨単結晶シリコンテストウェーハの仕様
SEMI M18 — 注文入力用シリコンウェーハ仕様書フォーマット
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M03800 - SEMI M38 - 鏡面リクレイムシリコンウェーハの仕様
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