SEMI M38 - 研磨再生シリコンウェーハの仕様 -

Abstract

この規格は、シリコンウェーハ世界技術委員会によって技術的に承認されました。この版は、2018 年 2 月 1 日にグローバル監査およびレビュー小委員会によって発行が承認されました。2018 年 7 月に www.semiviews.org および www.semi.org で入手可能になります。初版は 1999 年 9 月に出版されました。以前は 2012 年 3 月に出版されました。

デバイス製造における製造効率を向上させるために、シリコンウェーハは再生プロセスにさらされることがよくあります。再生ウェーハは、その後の使用のために再調整されたウェーハです。

この仕様は、半導体製造におけるテストおよびプロセス監視に使用される再生シリコンウェーハの要件をカバーしています。

場合によっては、裏面にサプライヤーのマークが付いている 300 mm ウェーハの場合、1 回以上の再生サイクル後にマークを再刻印する必要があります。したがって、この仕様には、そのようなウェーハの再書き込みをカバーする付録も含まれています。

この仕様では、再生ウェーハを機械、炉、粒子、リソグラフィーの 4 つのアプリケーション カテゴリに分類し、各カテゴリの仕様要件の表を提供します。したがって、再生シリコンウェーハの購入予定者は、どの用途が自分の要件に適合するかを知る必要があります。

表 1 および 2 では、一部の属性の要件のみが指定されています。他の要件は、「顧客指定」として示されています。これは、顧客がその特定の属性の要件を指定できることを意味します。「提供されたまま」は、属性がどのような値でもよいことを意味します「未指定」は、属性が指定されておらず、ウェーハをテストする必要がないことを意味します。

¶ 2.1 にリストされている一般カテゴリに加えて、この仕様では、3 番目の表にある 180 および 130 nm テクノロジー世代のデバイスを含む、高度なデバイス製造での使用を目的とした再生ウェーハの要件を規定しています。

この仕様は、特に片面または両面が研磨されたシリコンウェーハを対象としています。ウェーハにエピタキシャル堆積がある場合、エピタキシャル層の属性は仕様要件に含まれません。

この仕様は、顧客が供給した、またはサードパーティが供給した再生ウェーハを対象としています。ユーザーは、金 (Au) フィルムなど、未知の熱履歴、未知のバルク汚染、または未知の堆積物を持つ材料を調達する場合には注意が必要です。

粒子計数、フォトリソグラフィープロセスでのパターン解像度の測定、または表面イオン汚染モニタリングなど、シリコンウェーハに対してより高い要求を課すアプリケーションの場合、顧客は SEMI M1、SEMI M8、または SEMI M24 を参照することを希望する場合があります。

参考のために、公称直径 2 インチおよび 3 インチのウェーハには米国の慣用単位を使用し、直径 100 mm 以上のウェーハには一般にメートル法と呼ばれるシステム インターナショナル (SI) 単位を使用します。

SEMI M1 — 研磨単結晶シリコンウェーハの仕様
SEMI M8 — 研磨単結晶シリコンテストウェーハの仕様
SEMI M24 — 研磨単結晶シリコンプレミアムウェーハの仕様
SEMI M31 — 300 mm ウェーハの輸送および出荷に使用される前開き輸送ボックスの機械的特徴の仕様
SEMI M45 — 300 mm ウェーハ出荷システムの仕様
SEMI M59 — シリコンテクノロジーの用語
SEMI T3 —ウェーハボックスラベルの仕様
SEMI T7 — 二次元マトリックスコードシンボルを使用した両面研磨ウェーハの裏面マーキングの仕様

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