
SEMI M40 - シリコンウェーハ表面のラフネス測定のガイド -
Abstract
本基準は、グローバルシリコンウェーハ委員会で技術的に承認されている。現版は2009年9 月4日、グローバル監査審査小委員会にて発行が承認された。 で、そして2009 年11月にCD-ROM で入手可能となりました。初版は2000 年2 月に発行されました。
このガイドは、シリコンウェーハの表面ラフネスの特徴を調べ、報告するのに使用する測定方法を規定する手順を定めています。それにも、さらに他のタイプの平面ウェーハ材料が適用できる。 しているようなシリコンウェーハの研磨された表面のラフネスは一般にマイクロラフネス領域があることに注意をすべきである。
このガイドは、3つの重要な方法を使用するラフネスの決定に関する用語および手順を提供する。
標準化走査個所パターン
ラフネスの略語
特定のラフネス測定の識別に関する参考試験方法
参照されるSEMI規格SEMI E89 — 測定システム分析 (MSA) のガイド
SEMI M1 — 研磨単結晶シリコンウェーハの仕様
SEMI M20 — ウェーハ座標系確立の実践
SEMI M50 — 捕捉率と誤計数率を決定するための試験方法
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M04000 - SEMI M40 - シリコンウェーハ表面のラフネス測定のガイド
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