SEMI M47 - CMOS LSI アプリケーション用のシリコン オン インシュレータ (SOI) ウェーハの仕様 -

Abstract

この規格は、世界的なシリコンウェーハ委員会によって技術的に承認されました。この版は、2007 年 4 月 25 日にグローバル監査およびレビュー小委員会によって出版が承認されました。最初は 2010 年 10 月に www.semi.org で入手可能になりました。初版は 2001 年 11 月に出版されました。以前は 2007 年 7 月に出版されました。

注意: この文書は 2010 年に投票され、撤回が承認されました。

この仕様は、CMOS 大規模集積回路 (LSI) デバイスの薄層シリコン・オン・インシュレーター (SOI) ウェハー要件を定義します。別の態様では、この仕様は、典型的には０．２μｍ以下のＳＯＩ層厚さを有するＳＩＭＯＸおよび接合ＳＯＩウェーハの一般的な特性を定義する。パラメータ、検査手順、および合格基準を定義することにより、サプライヤーと顧客の両方が製品の特性と品質要件を統一して定義できます。

SEMI M1 — 研磨単結晶シリコンウェーハの仕様
SEMI M18 — シリコンウェーハの注文入力のための仕様書フォーム作成ガイド
SEMI M35 — 自動検査によって検出されるシリコンウェーハ表面特徴の仕様開発ガイド
SEMI M41 — パワーデバイス/IC 用のシリコン オン インシュレータ (SOI) の仕様
SEMI M53 — パターンのない半導体ウェーハ表面へのポリスチレン ラテックス球の認定済み堆積を使用した走査表面検査システムの校正の実践
SEMI M59 — シリコンテクノロジーの用語
SEMI MF26 — 半導体単結晶の配向を決定するための試験方法
SEMI MF42 — 外部半導体材料の導電型の試験方法
SEMI MF84 — インライン 4 点プローブを使用してシリコンウェーハの抵抗率を測定するテスト方法
SEMI MF523 — 研磨されたシリコンウェーハ表面の肉眼による検査の実践
SEMI MF533 — シリコンウェーハの厚さと厚さのばらつきの試験方法
SEMI MF671 — シリコンおよびその他の電子材料のウェーハの平坦長さを測定するための試験方法
SEMI MF928 — 円形半導体ウェーハおよびリジッドディスク基板のエッジ輪郭の試験方法
SEMI MF1152 — シリコンウェーハのノッチ寸法の試験方法
SEMI MF1188 — 短いベースラインでの赤外線吸収によるシリコンの格子間酸素含有量の試験方法
SEMI MF1390 — 自動非接触スキャンによるシリコンウェーハの反り測定の試験方法
SEMI MF1530 — 自動非接触スキャンによるシリコンウェーハの平坦度、厚さ、および厚さのばらつきを測定する試験方法
SEMI MF1619 — ブリュースター角でのp偏光放射線入射による赤外吸収分光法によるシリコンウェーハの格子間酸素含有量の測定のための試験方法
SEMI MF2074 — シリコンおよびその他の半導体ウェーハの直径を測定するためのガイド

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