SEMI M42 - 化合物半導体エピタキシャルウェーハの仕様 -

Member Price: ¥135
Non-Member Price: ¥38,100

Volume(s): Materials
Language: Japanese



Type: Single Standards Download (.pdf)

リビジョン: SEMI M42-0211 - 置き換えられました

リビジョン

Abstract

本基準は、global Compound Semiconductor Committee で技術的に承認されている。現版は2010年12 月21日、global Audits and Reviews Subcommittee にて発行が承認された。 およびwww.semi.org で入手可能となる。 初版は2000 10 月発行。

 

化合物半導体エピタキシャル層は、長年にわたって高速エレクトロニクスおよびオプトエレクトロニクスデバイスの基本構造としてずっと使用されてきた。ユーザの仕様通りに材料を成長させる,エピタキシャル層の供給シャルヤがいる。 ,および推奨されたテスト方法等を定義し,ウェーハ仕様の解釈の解消さをなくす必要がある。実際の製品仕様に関してはユーザ、供給ヤの間の更なる要求項目が必要とされる。

 

参照されるSEMI規格

SEMI M1 — 研磨単結晶シリコンウェーハの仕様


SEMI MF673 ¾ 非接触渦電流計を使用した半導体ウェハの抵抗率または半導体膜のシート抵抗を測定するための試験方法



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