SEMI M41 - パワーデバイス/IC 用のシリコンオンインシュレータ (SOI) の仕様 -

Abstract

この規格は、シリコンウェーハ世界技術委員会によって技術的に承認されました。この版は、2015 年 2 月 10 日にグローバル監査およびレビュー小委員会によって発行が承認されました。2015 年 6 月に www.semiviews.org および www.semi.org で入手可能になります。初版は 2000 年 6 月に出版されました。以前は 2013 年 12 月に出版されました。

この仕様は、半導体パワーデバイス/IC製造用のシリコン・オン・インシュレータ(SOI)の要件をカバーしています。検査手順と合格基準を定義することにより、ユーザーとサプライヤーの両方が製品の特性と品質要件を定義できます。

この仕様は、特定の電圧アプリケーションのパワーデバイス/IC に使用される SOI ウェーハの要件を規定します。電圧範囲は低電圧 (40 ～ 60V)、中電圧 (150 ～ 250V)、および高電圧 (500 ～ 600V) をカバーします。この仕様は、接合された SOI ウェーハに関連する物理的、電気的、および表面パラメータをカバーしています。

この文書には、接合 SOI ウェーハのユーザーとサプライヤーの間で交渉する必要がある、これらのウェーハの検査の目標リストが含まれています。

SEMI M1 — 研磨単結晶シリコンウェーハの仕様
SEMI M52 — 130 nm ～ 11 nm テクノロジー世代のシリコンウェーハ用走査表面検査システムを指定するためのガイド
SEMI M53 — パターンのない半導体ウェーハ表面へのポリスチレン ラテックス球の認定済み堆積を使用した走査表面検査システムの校正の実践
SEMI M59 — シリコンテクノロジーの用語
SEMI M62 — シリコンエピタキシャルウェーハの仕様
SEMI M71 — CMOS LSI用シリコン・オン・インシュレータ(SOI)ウェーハの仕様
SEMI MF26 — 半導体単結晶の配向を決定するための試験方法
SEMI MF42 — 外部半導体材料の導電型の試験方法
SEMI MF43 — 半導体材料の抵抗率の試験方法
SEMI MF81 — シリコンウェーハの半径方向抵抗率変化を測定するための試験方法
SEMI MF84 — インライン 4 点プローブを使用してシリコンウェーハの抵抗率を測定するテスト方法
SEMI M95 — パワーデバイス/IC 用のシリコン オン インシュレータ (SOI) の仕様
SEMI MF110 — アングルラッピングおよびステイン技術によるシリコンのエピタキシャル層または拡散層の厚さの試験方法
SEMI MF154 — シリコンの鏡面に見られる構造と汚染物質の特定に関するガイド
SEMI MF399 — ヘテロエピタキシャル層またはポリシリコン層の厚さの試験方法 (撤回 0710)
SEMI MF523 — 研磨されたシリコンウェーハ表面の肉眼による検査の実践
SEMI MF533 — シリコンウェーハの厚さと厚さのばらつきの試験方法
SEMI MF576 — エリプソメトリーによるシリコン基板上の絶縁体の厚さと屈折率の測定のための試験方法
SEMI MF671 — シリコンおよびその他の電子材料のウェーハの平坦長さを測定するための試験方法
SEMI MF847 — X線技術による単結晶シリコンウェーハ上の平坦部の結晶方位を測定するための試験方法
SEMI MF928 — 円形半導体ウェーハおよびリジッドディスク基板のエッジ輪郭の試験方法
SEMI MF1152 — シリコンウェーハのノッチ寸法の試験方法
SEMI MF1153 — 容量電圧測定による金属酸化シリコン (MOS) 構造の特性評価のための試験方法
SEMI MF1188 — 短いベースラインでの赤外線吸収によるシリコンの格子間原子状酸素含有量の試験方法
SEMI MF1390 — 自動非接触スキャンによるシリコンウェーハの反り測定の試験方法
SEMI MF1391 — 赤外線吸収によるシリコンの置換原子炭素含有量の試験方法
SEMI MF1527 — シリコンの抵抗率を測定する機器の校正および制御のためのシリコン標準基準物質および基準ウェーハの適用に関するガイド
SEMI MF1530 — 自動非接触スキャンによるシリコンウェーハの平坦度、厚さ、および厚さのばらつきを測定する試験方法
SEMI MF1535 — マイクロ波反射率による光導電率減衰の非接触測定によるシリコンウェーハのキャリア再結合寿命の試験方法
SEMI MF1617 — 二次イオン質量分析法によるシリコンおよびEPI基板の表面のナトリウム、アルミニウム、カリウム、および鉄を測定するための試験方法
SEMI MF1619 — ブリュースター角でのp偏光放射線入射による赤外吸収分光法によるシリコンウェーハの格子間酸素含有量の測定のための試験方法
SEMI MF1726 — シリコンウェーハの結晶学的完全性の分析の実践
SEMI MF1727 — 研磨されたシリコンウェーハの酸化誘発欠陥の検出の実践
SEMI MF2074 — シリコンおよびその他の半導体ウェーハの直径を測定するためのガイド

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