SEMI Standards

SEMI Standards are voluntary technical agreements for the semiconductor, flat panel display, micro-electromechanical systems, photovoltaic, and high-brightness LED industries.

フィルター

並び替え:

1625 製品

M02000 - SEMI M20 - ウェーハ座標系確立の実践
SEMI M20 - ウェーハ座標系確立の実践 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
M02300 - SEMI M23 - 研磨単結晶リン化インジウムウェーハの仕様
SEMI M23 - 研磨単結晶リン化インジウムウェーハの仕様 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
MF156900 - SEMI MF1569 - 半導体技術のコンセンサス参考資料作成ガイド
SEMI MF1569 - 半導体技術のコンセンサス参考資料作成ガイド セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
F09800 - SEMI F98 - 半導体プロセスにおける再利用水の処理に関するガイド
SEMI F98 - 半導体プロセスにおける再利用水の処理に関するガイド セール価格 Member Price : ¥113
MF067400 - SEMI MF674 - 拡散抵抗測定用のシリコンの準備の実践
SEMI MF674 - 拡散抵抗測定用のシリコンの準備の実践 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
G07400 - SEMI G74 - 300 mm ウェーハ用テープフレームの仕様
SEMI G74 - 300 mm ウェーハ用テープフレームの仕様 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
G06900 - SEMI G69 - リードフレームとモールディングコンパウンド間の接着強度測定の試験方法
SEMI G69 - リードフレームとモールディングコンパウンド間の接着強度測定の試験方法 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
HB01000 - SEMI HB10 - HB-LED ウェーハの製造に使用するための単結晶サファイアの仕様
SEMI HB10 - HB-LED ウェーハの製造に使用するための単結晶サファイアの仕様 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
MF172500 - SEMI MF1725 - シリコンインゴットの結晶学的完全性の解析の実践
SEMI MF1725 - シリコンインゴットの結晶学的完全性の解析の実践 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
MF067200 - SEMI MF672 - 広がり抵抗プローブを使用してシリコンウェーハの表面に垂直な抵抗率プロファイルを測定するためのガイド
SEMI MF672 - 広がり抵抗プローブを使用してシリコンウェーハの表面に垂直な抵抗率プロファイルを測定するためのガイド セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
G06300 - SEMI G63 - ダイせん断強度の測定のための試験方法
SEMI G63 - ダイせん断強度の測定のための試験方法 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
M06000 - SEMI M60 - Si ウェーハ評価用の SiO2 膜の時間依存性絶縁破壊特性の試験方法
SEMI M60 - Si ウェーハ評価用の SiO2 膜の時間依存性絶縁破壊特性の試験方法 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
M08300 - SEMI M83 - III-V族化合物半導体の単結晶における転位エッチピット密度を測定するための試験方法
SEMI M83 - III-V族化合物半導体の単結晶における転位エッチピット密度を測定するための試験方法 セール価格 Member Price : ¥113
MF198200 - SEMI MF1982 - 昇温脱離ガスクロマトグラフィーによるシリコンウェーハ表面の有機汚染物質の分析試験方法
SEMI MF1982 - 昇温脱離ガスクロマトグラフィーによるシリコンウェーハ表面の有機汚染物質の分析試験方法 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
MF067100 - SEMI MF671 - シリコンおよびその他の電子材料のウェーハ上の平坦長さを測定するための試験方法
SEMI MF671 - シリコンおよびその他の電子材料のウェーハ上の平坦長さを測定するための試験方法 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
M08400 - SEMI M84 - 窒化ガリウム・オン・シリコン用途向けの研磨単結晶シリコンウェーハの仕様
SEMI M84 - 窒化ガリウム・オン・シリコン用途向けの研磨単結晶シリコンウェーハの仕様 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
M07400 - SEMI M74 - 直径 450 mm の研磨ウェーハの機械的取り扱いの仕様
SEMI M74 - 直径 450 mm の研磨ウェーハの機械的取り扱いの仕様 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
G06600 - SEMI G66 - 半導体プラスチック成形材料の吸水特性測定の試験方法
SEMI G66 - 半導体プラスチック成形材料の吸水特性測定の試験方法 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
G04300 - SEMI G43 - 成形プラスチックパッケージのジャンクションからケースまでの熱抵抗測定の試験方法
SEMI G43 - 成形プラスチックパッケージのジャンクションからケースまでの熱抵抗測定の試験方法 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
MF138900 - SEMI MF1389 - III-V 族不純物に対する単結晶シリコンのフォトルミネッセンス分析の試験方法
SEMI MF1389 - III-V 族不純物に対する単結晶シリコンのフォトルミネッセンス分析の試験方法 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
G09600 - SEMI G96 - カンチレバーの曲げによるチップ（ダイ）強度の測定のための試験方法
SEMI G96 - カンチレバーの曲げによるチップ（ダイ）強度の測定のための試験方法 セール価格 Member Price : ¥113
MF139100 - SEMI MF1391 - 赤外線吸収によるシリコンの置換原子炭素含有量の試験方法
SEMI MF1391 - 赤外線吸収によるシリコンの置換原子炭素含有量の試験方法 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
G08900 - SEMI G89 - リードフレーム ストリップ サイズの仕様
SEMI G89 - リードフレーム ストリップ サイズの仕様 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
MF138800 - SEMI MF1388 - 金属酸化シリコン (MOS) コンデンサの静電容量時間測定によるシリコン材料の生成寿命と生成速度の試験方法
SEMI MF1388 - 金属酸化シリコン (MOS) コンデンサの静電容量時間測定によるシリコン材料の生成寿命と生成速度の試験方法 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
View All