SEMI MF671 - シリコンおよびその他の電子材料のウェーハ上の平坦長さを測定するための試験方法 -

Abstract

この規格は、シリコンウェーハ世界技術委員会によって技術的に承認されました。この版は、2018 年 2 月 1 日にグローバル監査およびレビュー小委員会によって発行が承認されました。2018 年 7 月に www.semiviews.org および www.semi.org で入手可能になります。 ASTM International によって当初 ASTM F671-80 として発行されました。以前は 2012 年 3 月に出版されました。

基準平面の長さは、半導体プロセスでの使用に対する材料の適合性を決定するための重要な材料特性です。

半導体デバイスの製造プロセスで広く使用されている自動ウェーハ処理装置は、正しい位置合わせを行うために一次フラットの識別と方向に依存しています。

この試験方法は、研究、開発、プロセス制御、品質保証、および材料受け入れアプリケーションでの使用に適しています。

この試験方法は、ウェーハ周縁部の平らな部分の長さを決定するための技術をカバーしています。

この試験方法は主に、平らな長さが最大 ​​65 mm の名目上円形のエッジ輪郭を持つウェーハの形の電子材料に使用することを目的としています。この試験方法の精度はシリコン ウェーハに対してのみ直接確立されていますが、材料に依存するとは予想されません。

この試験方法は審判測定の目的に適しており、指定された限界値で手持ちスケールや肉眼で得られるよりも高い試験精度が必要な場合の日常的な合格測定に使用できます。

この試験方法は表面仕上げとは無関係です。

直径 3 インチ以下のウェーハに適用する場合は、括弧内に表示されるかどうかに関係なく、インチポンド単位で記載された値が標準とみなされます。許容可能なメートル単位で記載されている値は情報提供のみを目的としています。直径が 3 インチを超えるウェーハに適用する場合は、許容可能なメートル単位で記載された値が標準とみなされます。インチポンド単位で記載された値は情報提供のみを目的としています。

SEMI M1 — 研磨単結晶シリコンウェーハの仕様
SEMI M59 — シリコンテクノロジーの用語

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