SEMI MF672 - 広がり抵抗プローブを使用してシリコンウェーハの表面に垂直な抵抗率プロファイルを測定するためのガイド -

Abstract

シリコンウェーハの表面に垂直な抵抗率プロファイルは、多くの場合、ウェーハの必要または有用な特性です。

拡散抵抗プローブによる抵抗率プロファイルの測定は複雑な手順であり、コンポーネント測定を実行するために一般的に受け入れられているオプションが多数あります。このガイドでは、電子構成、試料前処理の種類、およびベベル角度の測定方法について、優れた実践に沿った幅広い選択肢について説明します。このガイドで指定されていない項目は、通常、一般的な制限の中で指定された一連の選択肢から、テストの当事者によって合意されるものとします。ベベル角度の測定は、特定することが特に困難です。適切な方法の選択は、測定される角度の範囲だけでなく、その方法に使用できる機器の品質にも依存するためです。理想的には、ベベル面と元の面は直線に沿って交差する 2 つの平面である必要がありますが、実際の形状はこの理想とは異なる場合があり、測定がさらに複雑になります。これらの点は、制限に関するセクション、付録 1、およびベベル角度の測定に関する関連参考資料で認識されています。

このガイドでは、SEMI MF525 の手順を深さプロファイリングまで拡張します。

このガイドの手順は、プロセス管理、研究開発、および材料受入れの目的で使用できますが、材料受入れでの使用の制限については、¶ 17.5 を参照してください。

SEMI C28 — フッ化水素酸の仕様とガイド
SEMI C29 — 4.9% フッ化水素酸 (10:1 v/v) の仕様およびガイド
SEMI C31 — メタノールの仕様
SEMI M59 — シリコンテクノロジーの用語
SEMI MF26 — 半導体単結晶の配向を決定するための試験方法
SEMI MF42 — 外部半導体材料の導電型の試験方法
SEMI MF84 — インライン 4 点プローブを使用してシリコン ウェーハの抵抗率を測定するテスト方法
SEMI MF374 — シングル構成手順によるインライン 4 点プローブを使用したシリコンエピタキシャル層、拡散層、ポリシリコン層、およびイオン注入層のシート抵抗の試験方法
SEMI MF525 — 広がり抵抗プローブを使用してシリコンウェーハの抵抗率を測定する試験方法
SEMI MF674 — 拡散抵抗測定用のシリコンの準備の実践
SEMI MF723 — ホウ素ドープ、リンドープ、およびヒ素ドープのシリコンの抵抗率とドーパントまたはキャリア密度の間の変換の実践
SEMI MF1392 — 水銀プローブを使用した容量電圧測定によるシリコンウェーハの正味キャリア密度プロファイルを決定するための試験方法

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