SEMI M23 - 研磨単結晶リン化インジウムウェーハの仕様 -

Abstract

この規格は、化合物半導体材料グローバル技術委員会によって技術的に承認されました。この版は、2017 年 6 月 28 日にグローバル監査およびレビュー小委員会によって発行が承認されました。2018 年 2 月に www.semiviews.org および www.semi.org で入手可能になります。初版は 1993 年に出版されました。以前は 2011 年 8 月に出版されました。

注意: この文書は編集上若干の変更を加えて再承認されました。

これらの仕様は、半導体および電子デバイスの製造に使用される単結晶高純度リン化インジウムウェーハの基板要件をカバーしています。寸法および結晶配向特性は、以下に示す唯一の標準化された特性です。

完全な購入仕​​様では、追加の物理的、電気的、およびバルク特性の定義が必要になる場合があります。これらの特性は、そのような手順が文書化されている場合、その大きさを決定するのに適した試験方法とともにリストされています。

これらの仕様は、特に片面または両面が研磨されたリン化インジウムウェーハを対象としています。未研磨のウェーハまたはエピタキシャル膜付きウェーハは対象外です。ただし、そのようなウェーハの購入者は、これらの仕様が要件を定義するのに役立つ場合があります。

この材料は、立方晶系亜鉛ブレンド構造と次の特性を備えた単結晶リン化インジウム (InP) です。

参考のために、SI (System International、一般にメートル法と呼ばれる) 単位を使用するものとします。

下位基準:

SEMI M23.1-0211 (再承認 0218) — 直径 50 mm の円形研磨単結晶リン化インジウムウェハの仕様

SEMI M23.2-0211 (再承認 0218) — 直径 3 インチ (76.2 mm) の円形研磨単結晶リン化インジウムウェハの仕様

SEMI M23.3-0600 (0811 廃止) — 長方形研磨単結晶リン化インジウムウェハの仕様

SEMI M23.4-0211 (再承認 0218) — 電子および光電子デバイス用途向けの円形 100 mm 研磨単結晶リン化インジウムウェハの仕様 (ダブテールタイプ)

SEMI M23.5-0211 (再承認 0218) — 電子および光電子デバイス用途向けの円形 100 mm 研磨単結晶リン化インジウムウェハの仕様 (V 溝オプション)

SEMI M23.6-0703 (再承認 0218) — 円形 150 mm 研磨単結晶リン化インジウムウェハ (ノッチ付き) の仕様

SEMI M39 — 半絶縁性 GaAs 単結晶の抵抗率とホール係数を測定し、ホール移動度を決定するための試験方法
SEMI M59 — シリコンテクノロジーの用語
SEMI MF26 — 半導体単結晶の配向を決定するための試験方法
SEMI MF42 — 外部半導体材料の導電型の試験方法
SEMI MF84 — インライン 4 点プローブを使用してシリコンウェーハの抵抗率を測定するテスト方法
SEMI MF154 — シリコンの鏡面に見られる構造と汚染物質の特定に関するガイド
SEMI MF523 — 研磨されたシリコンウェーハ表面の肉眼による検査の実践
SEMI MF533 — シリコンウェーハの厚さと厚さのばらつきの試験方法
SEMI MF534 — シリコンウェーハの反りの試験方法 (撤回 0115)
SEMI MF657 — 非接触スキャンによるシリコンウェーハの反りおよび総厚さの変動を測定するための試験方法 (撤回 0914)
SEMI MF671 — シリコンおよびその他の電子材料のウェーハの平坦長さを測定するための試験方法
SEMI MF673 — 非接触渦電流計を使用して半導体ウェハの抵抗率または半導体膜のシート抵抗を測定するための試験方法
SEMI MF928 — 円形半導体ウェーハおよびリジッドディスク基板のエッジ輪郭の試験方法
SEMI MF1392 — 水銀プローブを使用した容量電圧測定によるシリコンウェーハの正味キャリア密度プロファイルを決定するための試験方法
SEMI MF1393 — 水銀プローブを使用したミラーフィードバックプロファイラー測定によるシリコンウェーハの正味キャリア密度を決定するための試験方法 (撤回 1105)
SEMI MF2074 — シリコンおよびその他の半導体ウェーハの直径を測定するためのガイド
SEMI T5 — 円形化合物半導体ウェーハの英数字マーキングの仕様

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