SEMI 3D8 - 3DS-IC 一時的ボンドデボンド (TBDB) プロセスで 300 mm キャリア ウェーハとして使用するシリコン ウェーハを記述するためのガイド

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E05410 - SEMI E54.10 - In-Situ 粒子監視デバイス用のセンサー/アクチュエーター ネットワーク固有のデバイス モデルの仕様
E17600 - SEMI E176 - 半導体製造環境における電磁干渉 (EMI) を評価し、最小限に抑えるためのガイド
E14800 - SEMI E148 - 時刻同期の仕様と TS-Clock オブジェクトの定義
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E16400 - SEMI E164 - EDA 共通メタデータの仕様
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E09400 - SEMI E94 - コントロールジョブ管理(CJM)の仕様
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F04700 - SEMI F47 - 半導体処理装置の電圧低下耐性の仕様
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E12100 - SEMI E121 - 半導体製造アプリケーションのための XML のスタイルと使用法に関するガイド
D07700 - SEMI D77 - FPD用フィルムの寸法測定の試験方法 – 輪郭マッチング法
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E07800 - SEMI E78 - 機器の静電気放電 (ESD) および静電気吸引 (ESA) を評価および制御するためのガイド
E03300 - SEMI E33 - 半導体製造装置の電磁両立性 (EMC) に関するガイド
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E05420 - SEMI E54.20 - EtherCAT のセンサー/アクチュエーター ネットワーク通信の仕様
F07400 - SEMI F74 - ガス供給システムに使用されるメタルシール設計の性能と評価のためのテスト方法
E15200 - SEMI E152 - 150 mm EUVL レチクル用 EUV ポッドの機械的特徴の仕様
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F04800 - SEMI F48 - ポリマー材料中の微量金属を測定するための試験方法
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E02900 - SEMI E29 - マスフローコントローラーおよびマスフローメーターの校正に関する用語