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SEMI M50 - 오버레이법에 による走査型表面検査system用捕獲率および偽計数率を決定するための試験方法
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SEMI M51 - 게이트 산화물 무결성으로 실리콘 웨이퍼를 특성화하기 위한 테스트 방법
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SEMI M51 - SiO2의 시계열에 대한 시리콘 웨하 정보(TZDB)의 試験方法
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SEMI M52 - 130nm，90nm，65nm および45nm 技術世代 シリコンウェーハ用 走査型表面検査装置仕様のためのgaid
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SEMI M52 - 130nm ~ 5nm 기술 세대를 위한 실리콘 웨이퍼용 스캐닝 표면 검사 시스템 지정 가이드
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SEMI M53 - 패턴이 없는 반도체 웨이퍼 표면에 단분산성 기준 구체의 인증 증착을 사용하여 스캐닝 표면 검사 시스템을 교정하기 위한 실습
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SEMI M53 - パターンのない半導体ウェーハ表面上に証明済み手法で付着した単分散標準粒子を用いた走査型表面検査systemm較正の作業方法
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SEMI M54 - 반절연(SI) GaAs 재료 매개변수 가이드
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SEMI M54 - 半絶縁性(SI)GaAs계 파라메타 가이드
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SEMI M55 - 연마된 단결정 실리콘 카바이드 웨이퍼 사양
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SEMI M55 - 鏡面単結晶シリコンカーバイドウェーハの仕様
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SEMI M56 - 측정 변동성 및 편향으로 인한 계측 장비의 비용 구성 요소 결정을 위한 실습
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SEMI M56 - 計量装置の測定変動と偏りに起因する費用成分の作業法
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SEMI M57 - 실리콘 열처리 웨이퍼 사양
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SEMI M57 - 시리콘 아니르웨하노 사양
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SEMI M58 - DMAを基にしたパーティクル堆積systemto proses評価에 대한 시험 방법
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SEMI M58 - DMA 기반 입자 증착 시스템 및 프로세스를 평가하기 위한 테스트 방법
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SEMI M59 - 실리콘 기술 용어
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SEMI M59 - 시리콘 기술의 用語集
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SEMI M60 - Si 웨이퍼 평가를 위한 SiO2 필름의 시간 종속 유전체 파괴 특성에 대한 테스트 방법
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SEMI M60 - SiO2의 종시계를 위한 시리콘 웨하 웨어러블의 経時絶縁破壊特性の試験方法
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SEMI M61 - 매립층이 있는 실리콘 에피택셜 웨이퍼 사양
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SEMI M61 - 埋め込み層付き시리콘에피타키샤르웨하노 사양
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SEMI M62 - 실리콘 에피택시 웨이퍼 사양
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