SEMI M57 - 실리콘 열처리 웨이퍼 사양 -

Abstract

많은 장치 제조업체가 향상된 장치 특성을 얻기 위해 실리콘 어닐링 웨이퍼를 사용합니다. 이 사양은 반도체 장치 및 집적 회로를 제조하는 데 사용되는 실리콘 어닐링 웨이퍼의 사양을 개발하기 위한 정보를 제공합니다.

이 사양은 치수, 전기, 180nm에 대한 실리콘 어닐링 웨이퍼의 화학적 및 구조적 특성, 130nm, 90nm, (표 R1-1), 65nm, 45nm, 32nm, (표 R1-2) 및 22nm (표 R1-3) 장치 기술 세대.

여기의 지침에 따라 이 문서의 사용자는 실리콘 어닐링 웨이퍼에 대한 사양을 생성할 수 있습니다.

어닐링된 웨이퍼를 사용하는 이유 중 하나는 웨이퍼의 상부 표면 영역 근처에서 때때로 결정 유래 입자라고도 알려진 결정 유래 피트(COP)의 감소를 허용하는 것입니다. 벌크 미세 결함(BMD)이 없는 노출 영역(DZ)의 너비도 중요한 매개변수입니다.

참조 SEMI 표준 (별도 구매)

SEMI M1 — 연마된 단결정 실리콘 웨이퍼 사양

SEMI M35 — 자동 검사로 감지되는 실리콘 웨이퍼 표면 특징에 대한 사양 개발 가이드

SEMI M45 — 300mm 웨이퍼 운송 시스템 사양

SEMI M53 - 단분산 기준 구체의 인증 증착을 사용하여 스캐닝 표면 검사 시스템을 교정하기 위한 실습 패턴이 없는 반도체 웨이퍼 표면

SEMI M58 — DMA 기반 입자 증착 시스템 및 프로세스를 평가하기 위한 테스트 방법

SEMI M59 — 실리콘 기술 용어

SEMI MF81 — 실리콘 웨이퍼의 방사형 비저항 변화를 측정하기 위한 테스트 방법

SEMI MF391 — 정상 상태 표면 광전압 측정을 통한 외부 반도체의 소수 캐리어 확산 길이 테스트 방법

SEMI MF523 - 연마된 실리콘 웨이퍼 표면의 육안 검사 실습

SEMI MF951 — 실리콘 웨이퍼의 방사형 침입형 산소 변화 측정을 위한 테스트 방법

SEMI MF1239 — 격자간 산소 환원 측정에 의한 실리콘 웨이퍼의 산소 침전 특성에 대한 시험 방법

SEMI MF1530 — 자동 비접촉 스캐닝으로 실리콘 웨이퍼의 편평도, 두께 및 총 두께 변화를 측정하는 테스트 방법

SEMI MF1535 — 마이크로파 반사율에 의한 광전도성 감소의 비접촉 측정에 의한 전자 등급 실리콘 웨이퍼의 캐리어 재조합 수명 테스트 방법

SEMI MF1617 — 2차 이온 질량 분광법으로 실리콘 및 EPI 기판의 표면 나트륨, 알루미늄, 칼륨 및 철 측정을 위한 테스트 방법

SEMI MF1726 — 실리콘 웨이퍼의 결정학적 완벽도 분석 실습

SEMI MF1727 - 연마된 실리콘 웨이퍼에서 산화로 인한 결함 검출을 위한 실습

SEMI MF1809 - 실리콘의 구조적 결함을 묘사하기 위한 에칭 솔루션의 선택 및 사용 가이드

SEMI T3 — 웨이퍼 박스 라벨 사양

SEMI T7 — 2차원 매트릭스 코드 기호가 있는 양면 연마 웨이퍼의 후면 마킹 사양

개정 내역

SEMI M57-0316(재승인 1021)

SEMI M57-0316(기술 개정)

SEMI M57-0414(기술 개정)

SEMI M57-0413(기술 개정)

SEMI M57-1011(기술 개정)

SEMI M57-0706(기술 개정)

SEMI M57-0705(기술 개정)

SEMI M57-0305(완전 재작성)

SEMI M57-0704(초판)

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