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M07600 - SEMI M76 - 開発用直径450 mm시리콘 単結晶鏡面 ウェーハの仕様
SEMI M76 - 開発用直径450 mm시리콘 単結晶鏡面 ウェーハの仕様 정상 가격₩542,000 KRW 할인 가격₩348,000 KRW
M07700 - SEMI M77 - Roll-Off Amount, ROA를 사용하여 Wafer Near-Edge 형상을 결정하기 위한 테스트 방법
SEMI M77 - Roll-Off Amount, ROA를 사용하여 Wafer Near-Edge 형상을 결정하기 위한 테스트 방법 할인 가격Member Price: ₩113
Non-Member Price: ₩291,000
M07700 - SEMI M77 - 로르오후량(ROA)(ROA)を使ってウェーハの엣지近傍形状を決定するための作業方法
SEMI M77 - 로르오후량(ROA)(ROA)を使ってウェーハの엣지近傍形状を決定するための作業方法 할인 가격Member Price: ₩135
Non-Member Price: ₩348,000
M07800 - SEMI M78 - 대량 제조에서 130nm ~ 22nm 세대를 위한 패턴이 없는 실리콘 웨이퍼의 나노토포그래피 결정을 위한 가이드
SEMI M78 - 대량 제조에서 130nm ~ 22nm 세대를 위한 패턴이 없는 실리콘 웨이퍼의 나노토포그래피 결정을 위한 가이드 할인 가격Member Price: ₩113
Non-Member Price: ₩291,000
M07800 - SEMI M78 - 경량 시간에 대응하는 130nm에서 22nm 시대의 파탄 없는 시리콘 웨하노 나노토포그라피 에너지를 결정하는 가이드
SEMI M78 - 경량 시간에 대응하는 130nm에서 22nm 시대의 파탄 없는 시리콘 웨하노 나노토포그라피 에너지를 결정하는 가이드 할인 가격Member Price: ₩135
Non-Member Price: ₩348,000
M07900 - SEMI M79 - 태양 전지 응용 분야를 위한 원형 100mm 광택 단결정 게르마늄 웨이퍼 사양
SEMI M79 - 태양 전지 응용 분야를 위한 원형 100mm 광택 단결정 게르마늄 웨이퍼 사양 할인 가격Member Price: ₩113
Non-Member Price: ₩291,000
M07900 - SEMI M79 - 太陽電池用円盤状100mm鏡面研磨単結晶ゲルマニウムウェーハの仕様
SEMI M79 - 太陽電池用円盤状100mm鏡面研磨単結晶ゲルマニウムウェーハの仕様 할인 가격Member Price: ₩135
Non-Member Price: ₩348,000
M08000 - SEMI M80 - 450 mm웨하노구출용 프런트 오픈・싱핑복스의 기계
SEMI M80 - 450 mm웨하노구출용 프런트 오픈・싱핑복스의 기계 할인 가격Member Price: ₩135
Non-Member Price: ₩348,000
M08000 - SEMI M80 - 450mm 웨이퍼 운송 및 배송에 사용되는 전면 개봉 배송 상자 사양
SEMI M80 - 450mm 웨이퍼 운송 및 배송에 사용되는 전면 개봉 배송 상자 사양 할인 가격Member Price: ₩113
Non-Member Price: ₩291,000
M08100 - SEMI M81 - 단결정 실리콘 카바이드 기판에서 발견된 결함에 대한 안내
SEMI M81 - 단결정 실리콘 카바이드 기판에서 발견된 결함에 대한 안내 할인 가격Member Price: ₩113
Non-Member Price: ₩291,000
M08100 - SEMI M81 - 単結晶シリコンカーバイド基板に存在する欠陥についてのgaid
SEMI M81 - 単結晶シリコンカーバイド基板に存在する欠陥についてのgaid 할인 가격Member Price: ₩135
Non-Member Price: ₩348,000
M08200 - SEMI M82 - 적외선 흡수 분광법에 의한 반 절연 갈륨 비소 단결정의 탄소 수용체 농도에 대한 테스트 방법
SEMI M82 - 적외선 흡수 분광법에 의한 반 절연 갈륨 비소 단결정의 탄소 수용체 농도에 대한 테스트 방법 할인 가격Member Price: ₩113
Non-Member Price: ₩291,000
M08300 - SEMI M83 - III-V 화합물 반도체의 단결정에서 전위 에칭 피트 밀도 측정을 위한 테스트 방법
SEMI M83 - III-V 화합물 반도체의 단결정에서 전위 에칭 피트 밀도 측정을 위한 테스트 방법 할인 가격 Member Price : ₩113
M08400 - SEMI M84 - 갈륨 질화물-온-실리콘 애플리케이션용 연마 단결정 실리콘 웨이퍼 사양
SEMI M84 - 갈륨 질화물-온-실리콘 애플리케이션용 연마 단결정 실리콘 웨이퍼 사양 할인 가격Member Price: ₩113
Non-Member Price: ₩291,000
M08500 - SEMI M85 - 유도 결합 플라즈마 질량분석법을 통한 실리콘 웨이퍼 표면의 미량 금속 오염 측정 가이드
SEMI M85 - 유도 결합 플라즈마 질량분석법을 통한 실리콘 웨이퍼 표면의 미량 금속 오염 측정 가이드 할인 가격Member Price: ₩113
Non-Member Price: ₩291,000
M08600 - SEMI M86 - 연마된 단결정질 c-평면 갈륨 질화물 웨이퍼 사양
SEMI M86 - 연마된 단결정질 c-평면 갈륨 질화물 웨이퍼 사양 할인 가격Member Price: ₩113
Non-Member Price: ₩291,000
M08700 - SEMI M87 - 반절연 반도체의 비접촉 비저항 측정을 위한 테스트 방법
SEMI M87 - 반절연 반도체의 비접촉 비저항 측정을 위한 테스트 방법 할인 가격Member Price: ₩113
Non-Member Price: ₩291,000
M08800 - SEMI M88 - 표면 광전압 방법으로 실리콘 웨이퍼의 소수 캐리어 확산 길이를 측정하기 위한 샘플 준비 방법 실습
SEMI M88 - 표면 광전압 방법으로 실리콘 웨이퍼의 소수 캐리어 확산 길이를 측정하기 위한 샘플 준비 방법 실습 할인 가격Member Price: ₩113
Non-Member Price: ₩291,000
M08900 - SEMI M89 - Short Wavelength Excitation Microwave Photoconductive Decay Method에 의한 Silicon Epitaxial Wafer의 Epilayer(p/p+, n/n+) 재결합 수명 테스트 방법
SEMI M89 - Short Wavelength Excitation Microwave Photoconductive Decay Method에 의한 Silicon Epitaxial Wafer의 Epilayer(p/p+, n/n+) 재결합 수명 테스트 방법 할인 가격Member Price: ₩113
Non-Member Price: ₩291,000
M09000 - SEMI M90 - Test Method for Bulk Micro Defect Density and Denuded Zone Width in Annealed Silicon Wafers by Optical Microscopy After Preferential Etching
SEMI M90 - Test Method for Bulk Micro Defect Density and Denuded Zone Width in Annealed Silicon Wafers by Optical Microscopy After Preferential Etching 할인 가격Member Price: ₩113
Non-Member Price: ₩291,000
M09100 - SEMI M91 - X선 토포그래피로 4H-SIC에서 스레딩 나사 전위 밀도 측정을 위한 테스트 방법
SEMI M91 - X선 토포그래피로 4H-SIC에서 스레딩 나사 전위 밀도 측정을 위한 테스트 방법 할인 가격Member Price: ₩113
Non-Member Price: ₩291,000
M09200 - SEMI M92 - Specification for 4H-SIC Homoepitaxial Wafer
SEMI M92 - Specification for 4H-SIC Homoepitaxial Wafer 할인 가격₩291,000 KRW 부터
M09300 - SEMI M93 - Test Method for Quantifying Basal Plane Dislocation Density in 4H-SiC by X-Ray Diffraction Topography/Imaging
SEMI M93 - Test Method for Quantifying Basal Plane Dislocation Density in 4H-SiC by X-Ray Diffraction Topography/Imaging 할인 가격Member Price:
Non-Member Price: ₩291,000
M09400 - SEMI M94 - Specification for Silicon Carbide Engineered Substrates
SEMI M94 - Specification for Silicon Carbide Engineered Substrates 할인 가격Member Price:
Non-Member Price: ₩291,000