SEMI M79 - 태양 전지 응용 분야를 위한 원형 100mm 광택 단결정 게르마늄 웨이퍼 사양 -

Abstract

이 표준은 복합 반도체 재료 글로벌 기술 위원회에서 기술적으로 승인되었습니다. 이 에디션은 2017년 6월 28일 글로벌 감사 및 검토 소위원회에서 출판 승인을 받았습니다. 2018년 2월 www.semiviews.org 및 www.semi.org에서 제공됩니다. 원래 2011년 2월에 출판되었습니다.

이 사양은 반도체 및 전자 장치 제조에 사용되는 원형 100mm 단결정 고순도 게르마늄 웨이퍼에 대한 기판 요구 사항을 다룹니다.

완전한 구매 사양에는 추가 물리적, 전기적 및 벌크 속성을 정의해야 할 수 있습니다. 이러한 속성은 그러한 절차가 문서화되는 크기를 결정하는 데 적합한 테스트 방법과 함께 나열됩니다.

이러한 사양은 특히 한면 또는 양면이 연마된 게르마늄 웨이퍼에 적용됩니다. 연마되지 않은 웨이퍼 또는 에피택셜 필름이 있는 웨이퍼는 포함되지 않습니다. 그러나 이러한 웨이퍼 구매자는 이러한 사양이 요구 사항을 정의하는 데 도움이 될 수 있습니다.

재료는 다음과 같은 특성을 가진 단결정 게르마늄(Ge)입니다.

표 1 단결정 Ge의 기본 특성

재산	값
격자 매개변수	5.658Å
결정 구조	다이아몬드
밀도	5.3234g/cm3
녹는 점	937°C
유전 상수	16.2
에너지 갭	0.661eV
열 전도성	0.58W/cm/°C

심판 목적으로 SI(System International, 일반적으로 미터법이라고 함) 단위가 사용됩니다.

참조된 SEMI 표준

SEMI M1 — 연마된 단결정 실리콘 웨이퍼 사양
SEMI MF26 — 반도체 단결정의 배향 결정을 위한 테스트 방법
SEMI MF43 - 반도체 재료의 비저항 테스트 방법
SEMI MF154 - 경면 실리콘 표면에서 보이는 구조 및 오염 물질 식별 가이드
SEMI MF523 - 연마된 실리콘 웨이퍼 표면의 육안 검사 실습
SEMI MF533 — 실리콘 웨이퍼의 두께 및 두께 변화에 대한 테스트 방법
SEMI MF657 — 비접촉 스캐닝으로 실리콘 웨이퍼의 휨 및 총 두께 변화를 측정하기 위한 테스트 방법(0914 철회)
SEMI MF671 — 실리콘 웨이퍼 및 기타 전자 재료의 평면 길이 측정을 위한 테스트 방법
SEMI MF673 — 비접촉식 와전류 게이지로 반도체 슬라이스의 비저항 또는 반도체 필름의 시트 저항을 측정하는 테스트 방법
SEMI MF847 — X-Ray 기술로 단결정 실리콘 및 웨이퍼의 결정학적 방향을 측정하기 위한 테스트 방법
SEMI MF928 — 원형 반도체 웨이퍼 및 경질 디스크 기판의 가장자리 윤곽에 대한 테스트 방법
SEMI MF1390 — 자동 비접촉 스캐닝으로 실리콘 웨이퍼의 휨 및 휨을 측정하는 테스트 방법
SEMI MF1530 — 자동 비접촉 스캐닝으로 실리콘 웨이퍼의 편평도, 두께 및 두께 편차를 측정하는 테스트 방법
SEMI MF2074 — 실리콘 및 기타 반도체 웨이퍼의 직경 측정 가이드
SEMI T5 — 원형 복합 반도체 웨이퍼의 영숫자 마킹 사양

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