SEMI M57 - 시리콘 아니르웨하노 사양 -

Abstract

本standared는 글로벌 실리콘 웨이퍼 위원회 で技術的に承認されている。現版は2013年2月3日， global Audits and Reviews Subcommitteeにて発行が承認された。 2013年4月にwww.semiviews.orgおよびwww.semi.orgで入手可能となる。初版は2004年7月，前版は2011年10月発行。

　

多くのデバイスメーカーが，シリコンアニールウェーハを用いてデバイス特性の向上を図っている。本仕様が提供するのは，半導体데바이스および集積回路組立てに使用されるシリコンアニールウェーハを規定するための情報である。

　

本仕様は180 nm ， 130 nm ， 90 nm(表R1-1 ), 65 nm, 45 nm, 32 nm, (表R1-2), 22 nm (表R1-3)世代のデバイス에 おける 시리콘 아니르웨하노幾何学的，電気的，化学的および構造的特性を包括している.

　

本文書の使用者は，本家ダンスに基づいて，シリコンアニールウェーハの仕様書を作成する ことができる.

　

ani-ruwe-haを使用する理由のひとつは，ani-ruwe-ha表層のcrystal 유래 입자 (COP )を減らすことができる말과 である。barrk欠陥がない領域（ denuded zone ： DZ ）の深さもまた重要なparameterである。

참조된 SEMI 표준

SEMI M1 — 연마된 단결정 실리콘 웨이퍼 사양
SEMI M35 — 자동 검사로 감지되는 실리콘 웨이퍼 표면 특징에 대한 사양 개발 가이드
SEMI M45 — 300mm 웨이퍼 운송 시스템 사양
SEMI M53 - 패턴이 없는 반도체 웨이퍼 표면에 단분산 폴리스티렌 라텍스 구체의 증착을 사용하여 스캐닝 표면 검사 시스템을 교정하기 위한 실습
SEMI M58 — DMA 기반 입자 증착 시스템 및 프로세스를 평가하기 위한 테스트 방법
SEMI M59 — 실리콘 기술 용어
SEMI MF81 — 실리콘 웨이퍼의 방사형 비저항 변화를 측정하기 위한 테스트 방법
SEMI MF391 — 정상 상태 표면 광전압 측정을 통한 외부 반도체의 소수 캐리어 확산 길이 테스트 방법
SEMI MF523 - 연마된 실리콘 웨이퍼 표면의 육안 검사 실습
SEMI MF951 — 실리콘 웨이퍼의 방사형 침입형 산소 변화 여부 결정을 위한 테스트 방법
SEMI MF1239 — 세포간 산소 환원 측정에 의한 실리콘 웨이퍼의 산소 침전 특성에 대한 테스트 방법
SEMI MF1530 — 자동 비접촉 스캐닝으로 실리콘 웨이퍼의 편평도, 두께 및 총 두께 변화를 측정하는 테스트 방법
SEMI MF1535 — 마이크로파 반사율에 의한 광전도성 감소의 비접촉 측정에 의한 실리콘 웨이퍼의 캐리어 재결합 수명 테스트 방법
SEMI MF1617 — 2차 이온 질량 분광법으로 실리콘 및 에피 기판의 표면 나트륨, 알루미늄, 칼륨 및 철 측정을 위한 테스트 방법
SEMI MF1726 — 실리콘 웨이퍼의 결정학적 완벽도 분석 실습
SEMI MF1727 - 연마된 실리콘 웨이퍼에서 산화로 인한 결함 검출을 위한 실습
SEMI MF1809 - 실리콘의 구조적 결함을 묘사하기 위한 에칭 솔루션의 선택 및 사용 가이드
SEMI T3 — 웨이퍼 박스 라벨 사양
SEMI T7 — 2차원 매트릭스 코드 기호가 있는 양면 연마 웨이퍼의 후면 마킹 사양

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