SEMI M51 - SiO2의 시계열에 대한 시리콘 웨하 정보(TZDB)의 試験方法 -

개정: SEMI M51-1012 - 전류

개정

Abstract

本standared는 글로벌 실리콘 웨이퍼 기술 위원회 で技術的に承認されている。現版は2012年8 月30日、global Audits and Reviews Subcommittee にて発行が承認された。 2012年10 にwww.semiviews. org およびwww.semi.org 에서 入手可能과 함께 할 수 있습니다 .

　

참고: 本文書は， 2012 年，全面的に改訂された.

　

本test方法は， Gate Oxide Integrity (GOI )によるウェーハ品質評価法に関するものである.よく知られているように表面に存在する欠陥検出の画で 非常に高感度である。

　

即時絶縁破壊特性（ TZDB ）は，酸化膜欠陥mod 分類を行うGOI測定方法である。 SEMIM60には，経時絶縁破壊特性（TDDB ）によるGOI 評価法の記述がある。 TDDB は酸化膜の信頼性を評価するのに対して，TZDB は酸化膜欠陥のmod分類を行い， GOI 評価手法として重要な方法である。

　

本test方法は, TZDB法を用いたウェーハGOI品質質評価法に関するものである.本teststandadeでは, Metal-Oxide-Semiconductor (MOS)캐파시타작성, 電気特性評価,解析そしてデータ取りまとめについて記載されている.

　

모스 캐파시타는 20-25nm 정도의 열전도율로 열방화 による による ゲート酸化膜を用用으로 사용되었습니다.

　

酸素析出物も絶縁破壊耐圧劣化の原因となるが，購入直後のウェーハでは、通常酸素析出物はほとんど含まれておらず、GOIへの影響はほとんど無い。従って，本standardでの議論の対象と아니오.

참조된 SEMI 표준

SEMI C3.6 — 실린더의 포스핀(PH 3 ) 사양 99.98% 품질
SEMI C3.55 — 실란(SiH 4 ) 사양, 벌크, 99.994% 품질
SEMI C21 — 수산화암모늄 사양 및 지침
SEMI C27 — 염산에 대한 사양 및 지침
SEMI C28 — 불화수소산 사양
SEMI C30 — 과산화수소 사양
SEMI C35 — 질산에 대한 사양 및 지침
SEMI C38 - 옥시염화인 가이드
SEMI C41 — 2-프로판올에 대한 사양 및 지침
SEMI C44 — 황산에 대한 사양 및 지침
SEMI C54 — 산소 사양 및 지침
SEMI C58 — 수소 사양 및 지침
SEMI C59 — 질소 사양 및 지침
SEMI F63 — 반도체 공정에 사용되는 초순수 가이드
SEMI M1 — 연마된 단결정 실리콘 웨이퍼 사양
SEMI M59 — 실리콘 기술 용어
SEMI M60 - Si 웨이퍼 평가를 위한 SiO 2 필름의 시간 종속 유전체 파괴 특성에 대한 테스트 방법
SEMI MF1771 - 전압 램프 기술로 게이트 산화물 무결성을 평가하기 위한 테스트 방법

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