SEMI M61 - 매립층이 있는 실리콘 에피택셜 웨이퍼 사양 -

Member Price: ₩113
Non-Member Price: ₩246,000

Volume(s): Materials
Language: English
Type: Single Standards Download (.pdf)
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개정: SEMI M61-0612(0319 재승인) - 현재

개정

Abstract

일부 실리콘 에피택셜 웨이퍼는 에피택셜 필름 아래에 묻힌 층이 제공됩니다. 이 사양은 매립층과 관련된 에피택셜 웨이퍼의 특성을 다룹니다.

　

이 사양은 에피택셜층 증착 후 포토리소그래피, 매립층 및 매립층 패턴의 특성과 관련된 매립층을 갖는 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 특성을 정의합니다.

　

이 사양은 각각 기판과 에피택셜 레이어의 속성을 정의하는 연마된 웨이퍼 사양(SEMI M1) 및 에피택셜 웨이퍼 사양(SEMI M2)과 함께 사용하기 위한 것입니다.

　

참조된 SEMI 표준

SEMI M1 — 연마된 단결정 실리콘 웨이퍼 사양
SEMI M2 — 이산 소자 응용 분야용 실리콘 에피택셜 웨이퍼 사양
SEMI M20 — 웨이퍼 좌표계 설정 실습
SEMI M59 — 실리콘 기술 용어
SEMI MF26 — 반도체 단결정의 배향 결정을 위한 테스트 방법

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