SEMI 3D8 - 3DS-IC 一時的ボンドデボンド (TBDB) プロセスで 300 mm キャリア ウェーハとして使用するシリコン ウェーハを記述するためのガイド

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F07600 - SEMI F76 - 腐食性ガスに曝露されたガスシステムコンポーネントからの粒子の寄与を評価するための試験方法
G05500 - SEMI G55 - リードフレーム銀めっき光沢度の測定方法
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G06700 - SEMI G67 - シート材料からの粒子発生の測定のための試験方法
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G09400 - SEMI G94 - 300 mm ウェーハ用コインスタック型テープフレーム輸送コンテナの仕様
M04000 - SEMI M40 - シリコンウェーハ表面のラフネス測定のガイド
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M05700 - SEMI M57 - シリコンアニールウェーハの仕様
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G02900 - SEMI G29 - 成形材料中の微量汚染物質の試験方法
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G02300 - SEMI G23 - 半導体パッケージの内部配線のインダクタンスの試験方法
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G02100 - SEMI G21 - 集積回路リードフレームのめっき仕様
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F05500 - SEMI F55 - マスフローコントローラーの耐食性を決定するための試験方法
G09500 - SEMI G95 - バックエンドプロセスにおけるテープフレームカセット用の 450 mm ロードポートの機械的特徴の仕様
G08200 - SEMI G82 - バックエンドプロセスにおけるフレームカセット用の 300 mm ロードポートの仕様
HB00600 - SEMI HB6 - 光学プローブを使用した結晶質サファイアウェーハの厚さと形状の測定のための試験方法
G02800 - SEMI G28 - プラスチックモールド SO パッケージ用リードフレームの仕様
MF163000 - SEMI MF1630 - III-V 族不純物に対する単結晶シリコンの低温 FT-IR 分析のテスト方法