SEMI 3D8 - 3DS-IC 一時的ボンドデボンド (TBDB) プロセスで 300 mm キャリア ウェーハとして使用するシリコン ウェーハを記述するためのガイド

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MF152800 - SEMI MF1528 - 二次イオン質量分析による高濃度ドープ N 型シリコン基板のホウ素汚染測定の試験方法
G02400 - SEMI G24 - パッケージリードのリード間および負荷容量を測定するための試験方法
MF161700 - SEMI MF1617 - 二次イオン質量分析によるシリコンおよびEPI基板の表面のナトリウム、アルミニウム、カリウム、および鉄を測定するための試験方法
M05100 - SEMI M51 - ゲート酸化膜の完全性によるシリコンウェーハの特性評価のための試験方法
MF207400 - SEMI MF2074 - シリコンおよびその他の半導体ウェーハの直径測定ガイド
SEMI MF2074 - シリコンおよびその他の半導体ウェーハの直径測定ガイド セール価格Member Price: ¥113
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MF172600 - SEMI MF1726 - シリコンウェーハの結晶学的完全性解析の実践
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G09300 - SEMI G93 - ボール・グリッド・アレイ(BGA)パッケージ用はんだボールの測定方法
G04100 - SEMI G41 - デュアル ストリップ SOIC リードフレームの仕様
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MF177100 - SEMI MF1771 - 電圧ランプ技術によるゲート酸化膜の完全性を評価するための試験方法
G05100 - SEMI G51 - プラスチック成形 (メートル法) クアッド フラット パック リードフレームの仕様
F02000 - SEMI F20 - 汎用、高純度および超高純度の半導体製造用途で使用されるコンポーネント用の 316L ステンレス鋼の棒、鍛造品、押出形材、プレート、およびチューブの仕様
MF181100 - SEMI MF1811 - 表面プロファイルデータからパワースペクトル密度関数および関連仕上げパラメータを推定するためのガイド
M06500 - SEMI M65 - 化合物半導体エピタキシャルウェーハに使用するサファイア基板の仕様
M08700 - SEMI M87 - 半絶縁性半導体の非接触抵抗率測定の試験方法
SEMI M87 - 半絶縁性半導体の非接触抵抗率測定の試験方法 セール価格Member Price: ¥113
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M04400 - SEMI M44 - シリコン中の酸素の比較係数ガイド
SEMI M44 - シリコン中の酸素の比較係数ガイド セール価格Member Price: ¥135
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