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M02300 - SEMI M23 - 研磨単結晶リン化インジウムウェーハの仕様
SEMI M23 - 研磨単結晶リン化インジウムウェーハの仕様 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
G00400 - SEMI G4 - スタンピングリードフレームの製造に使用される集積回路リードフレーム材料の仕様
MF067400 - SEMI MF674 - 拡散抵抗測定用のシリコンの準備の実践
SEMI MF674 - 拡散抵抗測定用のシリコンの準備の実践 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
MF092800 - SEMI MF928 - 円形半導体ウェーハおよびリジッドディスク基板のエッジ輪郭の試験方法
M06000 - SEMI M60 - Si ウェーハ評価用の SiO2 膜の時間依存性絶縁破壊特性の試験方法
HB01000 - SEMI HB10 - HB-LED ウェーハの製造に使用するための単結晶サファイアの仕様
G07400 - SEMI G74 - 300 mm ウェーハ用テープフレームの仕様
SEMI G74 - 300 mm ウェーハ用テープフレームの仕様 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
PV08800 - SEMI PV88 - 不活性ガス融解赤外線吸収法による太陽光発電 (PV) ポリシリコン中の水素定量の試験方法
PV02100 - SEMI PV21 - 太陽光発電アプリケーションで使用されるシラン (SiH4) のガイドPV02100 - SEMI PV21 - 太陽光発電アプリケーションで使用されるシラン (SiH4) のガイド
G02500 - SEMI G25 - パッケージリードの抵抗を測定するための試験方法
SEMI G25 - パッケージリードの抵抗を測定するための試験方法 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
M08300 - SEMI M83 - III-V族化合物半導体の単結晶における転位エッチピット密度を測定するための試験方法
M08400 - SEMI M84 - 窒化ガリウム・オン・シリコン用途向けの研磨単結晶シリコンウェーハの仕様
MF198200 - SEMI MF1982 - 昇温脱離ガスクロマトグラフィーによるシリコンウェーハ表面の有機汚染物質の分析試験方法
G07000 - SEMI G70 - プラスチックパッケージリードフレーム測定用の機器およびリードフレーム固定具の規格
M07400 - SEMI M74 - 直径 450 mm の研磨ウェーハの機械的取り扱いの仕様
SEMI M74 - 直径 450 mm の研磨ウェーハの機械的取り扱いの仕様 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
G02500 - SEMI G25 - パッケージ・リード抵抗の測定のための試験方法
SEMI G25 - パッケージ・リード抵抗の測定のための試験方法 セール価格Member Price: ¥135
Non-Member Price: ¥38,100
G06600 - SEMI G66 - 半導体プラスチック成形材料の吸水特性測定の試験方法
SEMI G66 - 半導体プラスチック成形材料の吸水特性測定の試験方法 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
MF138900 - SEMI MF1389 - III-V 族不純物に対する単結晶シリコンのフォトルミネッセンス分析の試験方法
G04300 - SEMI G43 - 成形プラスチックパッケージのジャンクションからケースまでの熱抵抗測定の試験方法
G09600 - SEMI G96 - カンチレバーの曲げによるチップ(ダイ)強度の測定のための試験方法
MF139100 - SEMI MF1391 - 赤外線吸収によるシリコンの置換原子炭素含有量の試験方法
MF138800 - SEMI MF1388 - 金属酸化シリコン (MOS) コンデンサの静電容量時間測定によるシリコン材料の生成寿命と生成速度の試験方法
G08900 - SEMI G89 - リードフレーム ストリップ サイズの仕様
SEMI G89 - リードフレーム ストリップ サイズの仕様 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
M06200 - SEMI M62 - シリコンエピタキシャルウェーハの仕様
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