SEMI 3D8 - 3DS-IC 一時的ボンドデボンド (TBDB) プロセスで 300 mm キャリア ウェーハとして使用するシリコン ウェーハを記述するためのガイド

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P01200 - SEMI P12 - 誘導結合プラズマ発光分光法（ICP）によるポジティブ・フォトレジスト中の鉄、亜鉛、カルシウム、マグネシウム、銅、ホウ素、アルミニウム、クロム、マンガン、及びニッケルの測定
SEMI P12 - 誘導結合プラズマ発光分光法（ICP）によるポジティブ・フォトレジスト中の鉄、亜鉛、カルシウム、マグネシウム、銅、ホウ素、アルミニウム、クロム、マンガン、及びニッケルの測定 セール価格Member Price: ¥135
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F07100 - SEMI F71 - ガス供給システムの温度サイクル試験方法
SEMI F71 - ガス供給システムの温度サイクル試験方法 通常価格¥49,500 JPY セール価格¥38,100 JPY
M03200 - SEMI M32 - 統計仕様ガイド
SEMI M32 - 統計仕様ガイド セール価格Member Price: ¥113
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G08900 - SEMI G89 - リードフレームのストリップ寸法の規格
SEMI G89 - リードフレームのストリップ寸法の規格 セール価格Member Price: ¥135
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P02100 - SEMI P21 - マスク描画装置の精度表示のガイドライン
SEMI P21 - マスク描画装置の精度表示のガイドライン セール価格Member Price: ¥135
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MF172400 - SEMI MF1724 - 酸抽出原子吸光分光法による多結晶シリコンの表面金属汚染を測定するための試験方法
SEMI MF1724 - 酸抽出原子吸光分光法による多結晶シリコンの表面金属汚染を測定するための試験方法 セール価格Member Price: ¥113
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C00358 - SEMI C3.58 - 八フッ化シクロブタン（C4F8）、電子グレード、メモリー充填、品質99.999%の仕様
SEMI C3.58 - 八フッ化シクロブタン（C4F8）、電子グレード、メモリー充填、品質99.999%の仕様 セール価格Member Price: ¥135
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M01000 - SEMI M10 - ガリウムヒ素ウェーハに見られる構造及び特徴の確認のための標準名
SEMI M10 - ガリウムヒ素ウェーハに見られる構造及び特徴の確認のための標準名 セール価格Member Price: ¥135
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D03000 - SEMI D30 - FPDカラーフィルタの耐光性試験方法
SEMI D30 - FPDカラーフィルタの耐光性試験方法 セール価格Member Price: ¥135
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P00100 - SEMI P1 - 硬質表面フォトマスク基板の仕様
SEMI P1 - 硬質表面フォトマスク基板の仕様 セール価格Member Price: ¥113
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M06200 - SEMI M62 - シリコンエピタキシャルウェーハの仕様
SEMI M62 - シリコンエピタキシャルウェーハの仕様 セール価格Member Price: ¥135
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P01800 - SEMI P18 - ウェーハステッパーのオーバーレイ機能の仕様
SEMI P18 - ウェーハステッパーのオーバーレイ機能の仕様 セール価格Member Price: ¥113
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M00100 - SEMI M1 - 鏡面単結晶シリコンウェーハの仕様
SEMI M1 - 鏡面単結晶シリコンウェーハの仕様 セール価格Member Price: ¥135
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G06400 - SEMI G64 - 全面めっきIC用リードフレーム（金、銀、銅、ニッケル、パラジウム/ニッケル、およびパラジウム）の仕様
SEMI G64 - 全面めっきIC用リードフレーム（金、銀、銅、ニッケル、パラジウム/ニッケル、およびパラジウム）の仕様 セール価格Member Price: ¥135
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P01600 - SEMI P16 - グラファイト炉原子吸光分光法によるポジ型フォトレジスト金属イオンフリー (MIF) 現像液中のスズの定量
SEMI P16 - グラファイト炉原子吸光分光法によるポジ型フォトレジスト金属イオンフリー (MIF) 現像液中のスズの定量 セール価格Member Price: ¥113
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