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SEMI M1 - 鏡面単結晶シリコンウェーハの仕様 -
Volume(s):
Materials
Language:
Japanese
Type: Single Standards Download (.pdf)
Abstract
免責事項： このSEMIスタンダードは，投票により作成された英語版が正式なものであり，日本語版は日本の利用者各位の便宜のために作成したものです。ある場合には英語版記載内容が優先されます。
SEMIスタンダード日本語翻訳版をご利用いただく際の注釈を本文の末尾に記載しております（「すべきである」「しなければならない」について等）。
単結晶シリコンウェーハはすべての集積回路デバイスおよびその他の多くの半導体デバイスに用いられている。
さらに，技術の進歩に伴い高密度の集積回路の各要素の微細化がますます進んだ結果，ウェーハのその他の品質特性を標準化することが有益になった。
この仕様はシリコンウェーハの基本寸法およびいくつかの基本特性について規定する。 ここでは鏡面研磨ウェーハのみならずエピ用基板ウェーハおよびその他のシリコンウェーハを目指す。
これらの仕様は、半導体デバイスおよび集積回路デバイス製造に使用される高純度（電子回路グレード）単結晶鏡面研磨シリコンウェーハの発注情報および特定の要求事項をカバーする。そのようなウェーハは通常、スライス前また、これらの仕様はエピ、アニール、SOIウェーハを含むその他のウェーハ種類の基板（あるいはスタートウェーハ）として使用することが意図された電子回路グレードのシリコンウェーハの発注情報および特定の要求事項もカバーする。
鏡面研磨ウェーハの寸法基準は以下の分類で規定されている。
ウェーハ厚さ、TTV、バウ、ワープの規定値は裏面膜付け処理、外因性ゲッタリング処理、またはその他の熱処理前ウェーハに適用される。
ウェーハ購入仕様にはさらなる品質特性がその数値をきめる検査方法とともに必要である。本標準ではこれらの諸特性と関連試験方法のリストを示す。このリストはあらゆる鏡面研磨ウェーハ、または基板の購入仕様を作成するためのシステムの基盤を提供するものであり、購買実務に利用されることを期待している。
ここに定める標準は最小1回以上鏡面研磨されたプライムウェーハに適用される。研削、ラップ、および鏡面研磨されないウェーハは本標準の対象外である。際のガイドにはなれないかもしれない。
本スタンダードは、 32 、 22 、 16 nm 技術世代用 300 および 450 mm 径プライムシリコンウェーハの仕様のガイドも提供する。これらのガイドは、関連情報1 に含まれます。
本標準は以下のシリコン関連材料またはウェーハについてはカバーしてありません。
- 多結晶シリコン多結晶シリコン（ SEMI M16 またはJEITA EM-3601A 参照） 、
- エピタキシャルウェーハ（ SEMI M62 参照） 、
- 埋め込み層つきエピタキシャルウェーハ（ SEMI M61 参照） 、
- テストウェーハ（SEMI M8 参照） 、
- プレミアムウェーハ（ SEMI M24 参照） 、
- リクレームウェーハ（ SEMI M38 参照） 、
- アニールウェーハ（ SEMI M57 参照） 、
- ソイウェーハ（ SEMI M41 、 SEMI M71 または、 JEITA EM-3603B 参照） 、
- ソーラーグレードシリコンウェーハ（ SEMI PV22 参照）
しかし，本標準はテストウェーハ，プレミアムウェーハ，リクレームウェーハおよびエピ，アニール，SOIウェーハ用の鏡面研磨基版およびウェーハの発注に最適な情報を提供する。
慎重に、米国で通常使われている単位が2インチおよび3インチウェーハには用いられ、SI （メートル）単位が100 mm のウェーハには使われている以上。
本標準の分類1.10.1 ， 1.10.2 ， 1.11 ， 1.12 ， 1.13.1および1.13.2に規定されたウェーハ寸法はJEITA EM-3602 の規定と同じであり、分類1.15 で規定されたウェーハ寸法は基本的にJEITA EM-3602 と同等である。
- 分類.1 2 インチ鏡面研磨単結晶シリコンウェーハ（セカンダリフラットあり）
- 分類1.2 3 インチ鏡面研磨単結晶シリコンウェーハ（セカンダリフラットあり）
- 分類1.5 100mm 鏡面研磨単結晶シリコンウェーハ（セカンダリフラットあり， 525mm 厚）
- 分類1.6 100mm 鏡面研磨単結晶シリコンウェーハ（セカンダリフラットあり、 625mm 厚）
- 分類1.7 125mm 鏡面研磨単結晶シリコンウェーハ（セカンダリフラットあり）
- 分類1.8.1 150mm鏡面研磨単結晶シリコンウェーハ（セカンダリフラットあり， T/3 エッジ対応）
- 分類1.8.2 150mm鏡面研磨単結晶シリコンウェーハ（セカンダリフラットあり， T/4 エッジ対応）
- 分類1.9.1 200mm鏡面研磨単結晶シリコンウェーハ（ノッチ付き、 T/3 エッジ専用）
- 分類1.9.2 200mm鏡面研磨単結晶シリコンウェーハ（ノッチ付き、 T/4 エッジ専用）
- 分類 1.9.3 200mm鏡面研磨単結晶シリコンウェーハ（ノッチ付き， パラメータ指定エッジ装備）
- 分類1.10.1 200mm鏡面研磨単結晶シリコンウェーハ（オリフラあり、セカンダリフラットなし、 T/3 エッジ専用）
- 分類1.10.2 200mm鏡面研磨単結晶シリコンウェーハ（オリフラあり、セカンダリフラットなし、 T/4 エッジ専用）
- 分類1.11 100mm 鏡面研磨単結晶シリコンウェーハ（オリフラあり，セカンダリフラットなし）
- 分類1.12 125mm鏡面研磨単結晶シリコンウェーハ（オリフラあり，セカンダリフラットなし）
- 分類1.13.1 150mm鏡面研磨単結晶シリコンウェーハ（オリフラあり，セカンダリフラットなし， T/3 エッジ専用）
- 分類1.13.2 150mm鏡面研磨単結晶シリコンウェーハ（オリフラあり，セカンダリフラットなし， T/4 エッジ専用）
- 分類1.15 300mm鏡面研磨単結晶シリコンウェーハ（ノッチ付き、 T/4 エッジ専用）
- 分類1.15.1 300mm鏡面研磨単結晶シリコンウェーハ（ノッチ付き， パラメータ指定エッジ装備）
- 分類1.16.1 ノッチ中心を<110> 軸に持つ450mm 鏡面単結晶ウェーハ
- 分類1.16.2 ノッチ中心を<100> 軸に持つ450mm 鏡面単結晶ウェーハ
参照されるSEMI規格
SEMI M6 — 太陽光発電セルとして使用するシリコンウェーハの仕様
SEMI M8 — 研磨単結晶シリコンテストウェーハの仕様
SEMI M12 — ウェーハ前面のシリアル英数字マーキングの仕様
SEMI M13 — シリコンウェーハの英数字マーキングの仕様
SEMI M16 — 多結晶シリコンの仕様
SEMI M18 — シリコンウェーハの注文入力のための仕様書フォーム作成ガイド
SEMI M20 — ウェーハ座標系確立の実践
SEMI M24 — 研磨単結晶シリコンプレミアムウェーハの仕様
SEMI M26 — ウェーハの輸送に使用される 100、125、150、および 200 mm ウェーハ輸送ボックスの再利用に関するガイド
SEMI M33 — 全反射蛍光 X 線分光法 (TXRF) によるシリコンウェーハ上の残留表面汚染の測定のための試験方法
SEMI M35 — 自動検査によって検出されるシリコンウェーハ表面特徴の仕様開発ガイド
SEMI M38 — 研磨再生シリコンウェーハの仕様
SEMI M40 — シリコンウェーハの平面粗さ測定ガイド
SEMI M41 — パワーデバイス/IC 用のシリコン オン インシュレータ (SOI) の仕様
SEMI M43 — ウェーハナノトポグラフィーのレポートガイド
SEMI M44 — シリコン内の格子間酸素の変換係数ガイド
SEMI M45 — 300 mm ウェーハ出荷システムの仕様
SEMI M53 — パターンのない半導体ウェーハ表面上の単分散基準球の認定された堆積を使用した走査表面検査システムの校正の実践
SEMI M57 — シリコンアニールウェーハの仕様ガイド
SEMI M58 — DMA ベースの粒子堆積システムおよびプロセスを評価するための試験方法
SEMI M59 — シリコンテクノロジーの用語
SEMI M61 — 埋め込み層を備えたシリコンエピタキシャルウェーハの仕様
SEMI M62 — シリコンエピタキシャルウェーハの仕様
SEMI M67 — ESFQR、ESFQD、およびESBIRメトリクスを使用して、測定された厚さのデータ配列からウェーハのニアエッジ形状を決定するための実践
SEMI M68 — 曲率メトリクス、ZDD を使用して、測定された高さのデータ配列からウェーハのニアエッジ形状を決定するための実践
SEMI M70 — 部分的なウェーハサイトの平坦度を使用してウェーハのニアエッジ形状を決定するための実践
SEMI M71 — CMOS LSI用シリコン・オン・インシュレータ(SOI)ウェーハの仕様
SEMI M73 — 測定されたウェーハエッジプロファイルから関連特性を抽出するための試験方法
SEMI M77 — ロールオフ量、ROA を使用してウェーハのニアエッジ形状を決定するための実践
SEMI M78 — 大量生産における 130 nm ～ 22 nm 世代のパターン化されていないシリコンウェーハのナノトポグラフィーを決定するためのガイド
SEMI MF26 — 半導体単結晶の配向を決定するための試験方法
SEMI MF28 — 光伝導減衰の測定によるバルクゲルマニウムおよびシリコンの少数キャリア寿命の試験方法
SEMI MF42 — 外部半導体材料の導電型の試験方法
SEMI MF81 — シリコンウェーハの半径方向抵抗率変化を測定するための試験方法
SEMI MF84 — インライン 4 点プローブを使用してシリコンウェーハの抵抗率を測定するテスト方法
SEMI MF391 — 定常状態の表面光電圧の測定による外部半導体の少数キャリア拡散長の試験方法
SEMI MF523 — 研磨されたシリコンウェーハ表面の肉眼による検査の実践
SEMI MF525 — 広がり抵抗プローブを使用してシリコンウェーハの抵抗率を測定する試験方法
SEMI MF533 — シリコンウェーハの厚さと厚さのばらつきの試験方法
SEMI MF534 — シリコンウェーハの反りの試験方法
SEMI MF657 —非接触スキャンによるシリコンウェーハの反りおよび総厚さのばらつきを測定する試験方法
SEMI MF671 — シリコンおよびその他の電子材料のウェーハの平坦長さを測定するための試験方法
SEMI MF673 — 非接触渦電流ゲージを使用して半導体スライスの抵抗率または半導体膜のシート抵抗を測定するための試験方法
SEMI MF847 — X線技術による単結晶シリコンウェーハ上の平坦部の結晶方位を測定するための試験方法
SEMI MF928 — 円形半導体ウェーハおよびリジッドディスク基板のエッジ輪郭の試験方法
SEMI MF951 — シリコンウェーハの半径方向の格子間酸素変動を測定するための試験方法
SEMI MF978 — 過渡容量技術による半導体の深いレベルの特性評価のためのテスト方法
SEMI MF1048 — 反射全積分散乱を測定するための試験方法
SEMI MF1049 — シリコンウェーハの浅いエッチピット検出の実践
SEMI MF1152 — シリコンウェーハのノッチ寸法の試験方法
SEMI MF1188 — 短いベースラインでの赤外線吸収によるシリコンの格子間酸素含有量の試験方法
SEMI MF1239 — 格子間酸素還元の測定によるシリコンウェーハの酸素析出特性の試験方法
SEMI MF1366 — 二次イオン質量分析による高濃度ドープシリコン基板の酸素濃度測定の試験方法
SEMI MF1388 — 金属酸化シリコン (MOS) コンデンサの容量時間測定によるシリコン材料の生成寿命と生成速度の試験方法
SEMI MF1390 — 自動非接触スキャンによるシリコンウェーハの反り測定の試験方法
SEMI MF1391 — 赤外線吸収によるシリコンの置換原子炭素含有量の試験方法
SEMI MF1451 — 自動非接触スキャンによるシリコンウェーハのソリを測定する試験方法
SEMI MF1528 — 二次イオン質量分析による高濃度ドープn型シリコン基板のホウ素汚染測定の試験方法
SEMI MF1530 — 自動非接触スキャンによるシリコンウェーハの平坦度、厚さ、総厚さの変動を測定する試験方法
SEMI MF1535 — マイクロ波反射率による光導電率減衰の非接触測定によるシリコンウェーハのキャリア再結合寿命の試験方法
SEMI MF1617 — 二次イオン質量分析法によるシリコンおよびエピ基板上の表面のナトリウム、アルミニウム、カリウム、鉄を測定するための試験方法
SEMI MF1619 — ブリュースター角でのp偏光放射入射による赤外吸収分光法によるシリコンウェーハの格子間酸素含有量の測定のための試験方法
SEMI MF1726 — シリコンウェーハの結晶学的完全性の分析の実践
SEMI MF1727 — 研磨されたシリコンウェーハの酸化誘発欠陥の検出の実践
SEMI MF1809 — シリコンの構造欠陥を描写するためのエッチング溶液の選択と使用に関するガイド
SEMI MF1982 — 昇温脱着ガスクロマトグラフィーによるシリコンウェーハ表面の有機汚染物質を分析するための試験方法
SEMI MF2074 — シリコンおよびその他の半導体ウェーハの直径を測定するためのガイド
SEMI T3 — ウェーハボックスラベルの仕様
SEMI T7 — 二次元マトリックスコードシンボルを使用した両面研磨ウェーハの裏面マーキングの仕様
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