SEMI G64 - 全面めっきIC用リードフレーム（金、銀、銅、ニッケル、パラジウム/ニッケル、およびパラジウム）の仕様 -

Abstract

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SEMIスタンダード日本語翻訳版をご利用いただく際の注釈を本文の末尾に記載しております（「すべきである」「しなければならない」について等）。

本基準は、Assembly & Packaging Global Technical Committeeで技術的に承認されている。現版は2011年7月1日、global Audits and Reviews Subcommitteeにて発行が承認された。 2011年8月にwww.semiviews .orgおよびwww.semi.orgで入手可能となる。初版は1996年発行。前版は2004年11月発行。

注意:この文書は、編集上の修正を考慮して再承認されました。

この仕様は、半導体プラスチックパッケージ用の全面めっきリードフレームのユーザが必要とする、めっき層の特性を評価するためのガイドラインを、意図している。

背景－全面めっきリードフレームは，学校，環境へのリードの影響，PPFプロセスによるパッケージ信頼性の改善，ファインピッチ・リードフレームのリードの共平面性，およびはんだめっきによるリードのブリッジ等に対処するへの打開策として，注目を集めている。

この文書で詳しく説明されている仕様と試験手順は、全面めっきリードフレームに適用される。

単位－本書では，SI単位系を使用する。

SEMI G4 — スタンピングリードフレームの製造に使用される集積回路リードフレーム材料の仕様

SEMI G18 — エッチングされたリードフレームの製造に使用される集積回路リードフレーム材料の規格

SEMI G21 — 集積回路リードフレームのめっき仕様

SEMI G52 — 半導体リードフレーム上のイオン汚染測定のための標準試験方法 (提案)

SEMI G55 — 銀めっきの明るさを測定するための試験方法

SEMI G56 — 銀めっきの厚さを測定するための試験方法

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