SEMI 3D8 - 3DS-IC 一時的ボンドデボンド (TBDB) プロセスで 300 mm キャリア ウェーハとして使用するシリコン ウェーハを記述するためのガイド

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HB00400 - SEMI HB4 - 高輝度 LED 製造装置用通信インターフェースの仕様 (HB-LED ECI)
SEMI HB4 - 高輝度 LED 製造装置用通信インターフェースの仕様 (HB-LED ECI) セール価格Member Price: ¥113
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MF118800 - SEMI MF1188 - 短いベースラインでの赤外線吸収によるシリコンの格子間酸素含有量の試験方法
M07800 - SEMI M78 - 大量生産における 130 nm ~ 22 nm 世代のパターン化されていないシリコン ウェーハのナノトポグラフィーを決定するためのガイド
MF039700 - SEMI MF397 - 2 点プローブを使用したシリコンバーの抵抗率の試験方法
SEMI MF397 - 2 点プローブを使用したシリコンバーの抵抗率の試験方法 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,800
M06400 - SEMI M64 - 赤外吸収分光法による半絶縁性 (SI) ガリウムヒ素単結晶中の EL2 ディープドナー濃度の試験方法
G08300 - SEMI G83 - 製品パッケージのバーコードマーキングの仕様
SEMI G83 - 製品パッケージのバーコードマーキングの仕様 セール価格Member Price: ¥113
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MF037400 - SEMI MF374 - シングル構成手順によるインライン 4 点プローブを使用したシリコンエピタキシャル層、拡散層、ポリシリコン層、およびイオン注入層のシート抵抗の試験方法
M03500 - SEMI M35 - 自動検査によって検出されるシリコンウェーハ表面特徴の仕様開発ガイド
M05500 - SEMI M55 - 研磨単結晶炭化ケイ素ウェハの仕様
SEMI M55 - 研磨単結晶炭化ケイ素ウェハの仕様 セール価格Member Price: ¥113
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MF139200 - SEMI MF1392 - 水銀プローブを使用した容量電圧測定によるシリコンウェーハの正味キャリア密度プロファイルを決定するための試験方法
G05600 - SEMI G56 - 銀めっきの厚さを測定するための試験方法
SEMI G56 - 銀めっきの厚さを測定するための試験方法 セール価格Member Price: ¥113
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M05800 - SEMI M58 - DMAを基にしたパーティクル積システムとプロセス評価のためのテスト方法
MF072300 - SEMI MF723 - ホウ素ドープ、リンドープ、およびヒ素ドープのシリコンの抵抗率とドーパントまたはキャリア密度の間の変換の実践
M01700 - SEMI M17 - 一般的なウェーハグリッドのガイド
SEMI M17 - 一般的なウェーハグリッドのガイド セール価格Member Price: ¥135
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M00800 - SEMI M8 - 研磨単結晶シリコンテストウェハの仕様
SEMI M8 - 研磨単結晶シリコンテストウェハの仕様 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,800