SEMI MF1392 - 水銀プローブを使用した容量電圧測定によるシリコンウェーハの正味キャリア密度プロファイルを決定するための試験方法 -

Abstract

この規格は、シリコンウェーハ世界技術委員会によって技術的に承認されました。この版は、2018 年 2 月 1 日にグローバル監査およびレビュー小委員会によって発行が承認されました。2018 年 7 月に www.semiviews.org および www.semi.org で入手可能になります。 ASTM International によって当初 ASTM F1392-92 として発行されました。以前は 2012 年 5 月に出版されました。

正味のキャリア密度は、シリコンのエピタキシャル層の成長における重要なパラメータです。このテスト方法は、層上に特別なダイオード構造を形成することなく、正味のキャリア密度を決定する手段を提供します。また、研磨されたシリコンウェーハの正味キャリア密度の特性評価にも使用できます。

この試験方法は、研究開発、プロセス管理、材料の仕様、評価、および受け入れの目的で使用できます。

再現性を確立するための研究室間の試験データがない場合 (¶ 14.2 を参照)、この試験方法は、試験当事者が再現性と相関関係を確立した後にのみ、材料の仕様と承認に使用する必要があります。

この試験方法は、約 4 × 1013 ～約 8 × 1016 キャリア/cm -3 の範囲(抵抗率の範囲は約 0.1 ～ 約 100 Ω)のエピタキシャルおよび研磨バルク シリコン ウェーハの正味キャリア密度および正味キャリア密度プロファイルの測定を対象としています。 ｎ型ウェーハでは約０．２４～約３３０Ω・ｃｍ、 ｐ型ウェーハでは約０．２４～約３３０Ω・ｃｍ）。

このテスト方法では、エピタキシャルまたは研磨されたウェーハ表面に水銀プローブが接触したショットキー バリア ダイオードを形成する必要があります。信頼性の高いショットキーバリアダイオードを製造するには、シリコン表面の化学処理が必要な場合があります。表面処理の化学薬品は、 n型ウェーハとp型ウェーハでは異なります。このテスト方法は、ウェーハ表面に形成されたショットキー接点による汚染の可能性があるため、破壊的であると考えられる場合があります。ただし、同じ試験片に対して繰り返し測定を行うこともできます。

この試験方法は、同じまたは反対の導電型の基板上のエピタキシャル層に適用できます。この試験方法には、絶縁バックシール層の有無にかかわらず基板を測定するための治具の説明が含まれています。

SEMI C28 — フッ化水素酸の仕様とガイド
SEMI C29 — 4.9% フッ化水素酸 (10:1 v/v) の仕様およびガイド
SEMI C30 — 過酸化水素の仕様
SEMI E89 — 測定システム分析 (MSA) のガイド
SEMI M59 — シリコンテクノロジーの用語
SEMI MF26 — 半導体単結晶の配向を決定するための試験方法
SEMI MF42 — 外部半導体材料の導電型の試験方法
SEMI MF81 — シリコンウェーハの半径方向抵抗率変化を測定するための試験方法
SEMI MF84 — インライン 4 点プローブを使用してシリコンウェーハの抵抗率を測定するテスト方法
SEMI MF672 — 広がり抵抗プローブを使用してシリコンウェーハの表面に垂直な抵抗率プロファイルを測定する試験方法
SEMI MF723 — ホウ素ドープ、リンドープ、およびヒ素ドープのシリコンの抵抗率とドーパントまたはキャリア密度の間の変換の実践
SEMI MF1153 — 容量電圧測定による金属酸化シリコン (MOS) 構造の特性評価のための試験方法

Interested in purchasing additional SEMI Standards? Consider SEMIViews, an online portal with access to over 1000 Standards.

Refund Policy: Due to the nature of our products, SEMI has a no refund/no exchange policy. Please make sure that you have reviewed your order prior to finalizing your purchase. All sales are final.