SEMI M17 - 一般的なウェーハグリッドのガイド -

Abstract

本基準は、global Silicon Wafer Committee で技術的に承認されている。現版は2010年8 月27日、global Audits & Reviews Subcommittee にて発行が承認された。 で入手可能となる可能性があります。初版は1990年発行、前版は2004 年7 月発行。

最大許容スリップとその他不均等に分布する欠陥は鏡面あるいはエピタキシャルシリコンウェーハの調達にあたり頻繁に定められる。 SEMI M62ではスリップを含むエピタキシャルシリコンウェーハ表面のわずかな領域についてその最大許容を定めている。

このガイドは観測された欠陥で疑わしいウェーハ表面のほんの一部の決定を簡単にウェーハグリッドを使用するためのデザインおよびガイダンスを提供する。

SEMI M1 — 研磨単結晶シリコンウェーハの仕様
SEMI M59 — シリコンテクノロジーの用語
SEMI M62 — シリコンエピタキシャルウェーハの仕様
SEMI MF154 — シリコンの鏡面に見られる構造と汚染物質の特定に関するガイド
SEMI MF1725 — シリコンインゴットの結晶学的完全性の分析の実践
SEMI MF1726 — シリコンウェーハの結晶学的完全性の分析の実践
SEMI MF1809 — シリコンの構造欠陥を描写するためのエッチング溶液の選択と使用に関するガイド

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