SEMI M8 - 研磨単結晶シリコンテストウェハの仕様 -

Abstract

この規格は、シリコンウェーハ世界技術委員会によって技術的に承認されました。この版は、2018 年 2 月 1 日にグローバル監査およびレビュー小委員会によって発行が承認されました。2018 年 7 月に www.semiviews.org および www.semi.org で入手可能になります。初版は 1982 年に出版されました。以前は 2018 年 7 月に出版されました。

この仕様は、半導体製造における機械的テストおよび日常的なプロセス監視に使用されるバージン シリコン テスト ウェーハの要件をカバーしています。

この仕様は、選択された電気的および表面欠陥特性とともに、単結晶バージンシリコンテストウェーハの寸法および結晶学的特性をカバーします。

この仕様は、2 インチから 300 mm までのすべての標準ウェーハ直径のバージン テスト ウェーハを対象としています。指定された項目に従ってテストウェーハを分類します。 3 クラスの小径テスト ウェーハ (125 mm まで) と 2 クラスの大径テスト ウェーハ (150 mm から) を提供します。

この仕様は、粒子計数、フォトリソグラフィープロセスでの解像度の測定、金属汚染の監視など、シリコンウェーハに高い要求を課す用途を目的としたテストウェーハはカバーしません。これらのアプリケーションで使用されるウェーハについては、SEMI M24 を参照する必要があります。

参考のために、公称直径 2 インチおよび 3 インチのウェーハには米国の慣用単位を使用し、直径 100 mm 以上のウェーハには一般にメートル単位と呼ばれるシステム インターナショナル (SI) を使用します。

SEMI M1 — 研磨単結晶シリコンウェーハの仕様
SEMI M24 — 研磨単結晶シリコンプレミアムウェーハの仕様
SEMI M45 — 300 mm ウェーハ出荷システムの仕様
SEMI M59 — シリコンテクノロジーの用語
SEMI T3 — ウェーハボックスラベルの仕様
SEMI T7 — 二次元マトリックスコードシンボルを使用した両面研磨ウェーハの裏面マーキングの仕様

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